半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD

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1、第1章可制造性设计工具SentaurusTCAD2/117Sentaurus简介SentaurusTCAD全面继承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特点和优势，它可以用来模拟集成器件的工艺制程，器件物理特性和互连线特性等。SentaurusTCAD提供全面的产品套件，其中包括SentaurusWorkbench,Ligament,SentaurusProcess,SentaurusStructureEditor,MeshNoffset3D,SentaurusDevice,Tecplot SV，Insp

2、ect,AdvancedCalibration等等。2021/8/26浙大微电子3/117Sentaurus简介SentaurusProcess和SentaurusDevice可以支持的仿真器件类型非常广泛，包括CMOS，功率器件，存储器，图像传感器，太阳能电池，和模拟/射频器件。SentaurusTCAD还提供互连建模和参数提取工具，为优化芯片性能提供关键的寄生参数信息。2021/8/26浙大微电子4/117SentaurusTCAD的启动运行vncviewer在xterm中输入：source/opt/demo/se

3、ntaurus.envGENESISe&2021/8/26浙大微电子5/1172021/8/26浙大微电子6/1172021/8/26浙大微电子7/117本章内容1集成工艺仿真系统SentaurusProcess2器件结构编辑工具SentaurusStructureEditor3器件仿真工具SentaurusDevice4集成电路虚拟制造系统SentaurusWorkbench简介2021/8/26浙大微电子8/117本章内容1集成工艺仿真系统SentaurusProcess2器件结构编辑工具SentaurusStru

4、ctureEditor3器件仿真工具SentaurusDevice4集成电路虚拟制造系统SentaurusWorkbench简介2021/8/26浙大微电子9/117SentaurusProcess工艺仿真工具简介SentaurusProcess是当前最为先进的工艺仿真工具，它将一维，二维和三维仿真集成于同一平台中，并面向当代纳米级集成电路工艺制程，全面支持小尺寸效应的仿真与模拟。SentaurusProcess在保留传统工艺仿真软件运行模式的基础上，又做了一些重要的改进。2021/8/26浙大微电子10/117202

5、1/8/26浙大微电子增加了模型参数数据库浏览器（PDB），为用户提供了修改模型参数和增加模型的方便途径。增加了一维模拟结果输出工具Inspect和二维、三维模拟结果输出工具（TecplotSV）。增加了小尺寸模型。这些小尺寸模型主要有：高精度刻蚀模型，基于MonteCarlo的离子扩散模型，注入损伤模型，离子注入校准模型等等。增加了这些小尺寸模型，提高了工艺软件的仿真精度，适应了半导体工艺发展的需求。11/117SentaurusProcess基本命令介绍用户可以通过输入命令指导SentaurusProcess的执行

6、。而这些命令可以通过输入命令文件或者用户终端直接输入。2021/8/26浙大微电子12/117(1)文件说明及控制语句exit:用于终止SentaurusProcess的运行。fbreak:使仿真进入交互模式。fcontinue:重新执行输入文件。fexec:执行系统命令文件。interface:返回材料的边界位置。load:从文件中导入数据信息并插入到当前网格。logfile:将注释信息输出到屏幕以及日志文件中。mater:返回当前结构中的所有材料列表，或在原列表中增加新的材料。mgoals:使用MGOALS引擎设置

7、网格参数。2021/8/26浙大微电子13/117(2)器件结构说明语句init:设置初始网格和掺杂信息。region:指定结构中特定区域的材料。line:指定网格线的位置和间距。grid:执行网格设置的命令。substrate_profile:定义器件衬底的杂质分布。polygon:描述多边形结构。point:描述器件结构中的一个点。doping:定义线性掺杂分布曲线。profile:读取数据文件并重建数据区域。refinebox:设置局部网格参数，并用MGOALS库进行细化。bound:提取材料边界并返回坐标列表。

8、contact:设置电极信息。2021/8/26浙大微电子(3)工艺步骤说明语句deposit:用于淀积一个新的层次。diffuse:用于高温扩散和高温氧化。etch:用于刻蚀。implant:实现离子注入。mask:用于定义掩膜版。photo:淀积光刻胶。strip:去除表面的介质层。stress:用于计算应力。2021/8/2