元件参数说明

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1、BJT符號說明VCBO射極(Emitter)開路,集極(Collector)和基極(Base)間可容許的最大電壓VCEO基極(Base)開路,集極(Collector)和射極(Emitter)間可容許的最大電壓VEBO集極(Collector)開路,射極(Emitter)和基極(Base)間可容許的最大電壓IC可通過集極的最大電流PC元件持續動作時的消耗功率Tj接面溫度Tstg儲藏溫度ICES集極短路電流(基極與射極短路時的集極電流)IEBO射極斷路電流(集極開路時,在射極與基極間加上額定電壓時所產生的射極電流)VCE(sat)集極與射極間的飽

2、和電壓VBE(sat)基極與射極間的飽和電壓hfe(直流)電流放大倍率ft工作頻率Cob集極輸出電容量(基極接地)Cib輸入電容量(基極接地)Td延遲時間(信號輸入後,輸出端的信號達到最大振幅的10%所需的時間)Tr上升時間(輸出信號的由最大振幅的10%增加到90%所需的時間)Tstg儲存時間(信號輸入結束後,輸出端的信號減少至最大振幅的90%所需的時間)tf下降時間(輸出信號的由最大振幅的90%減少到10%所需的時間)MOSFET符號說明VDSS汲極(Drain)和源極(Source)間的最大額定電壓VGSS閘極(Gate)和源極(Sourc

3、e)間的最大額定電壓ID汲極最大額定電流IS源極電流(BodyDiode)PD額定消耗功率Tch最大額定通道溫度Tstg儲存溫度Rth(ch-a)通道與週遭環境之熱阻IGSS閘極漏電流(汲極與源極短路時)IDSS零偏壓汲極電流,即閘極與源極短路時的汲極電流VGS(th)臨限電壓(驅使電晶體開始動作的最小VGS值)RDS(on)導通電阻(當電晶體正常動作時,閘極與源極間的電阻值)Ciss閘極與源極間的輸入電容量(源極接地)　Ciss=Cgs+CdgCoss汲極與源極間的輸出電容量(源極接地)Coss=Cds+CdgCrss閘極與汲極間反相傳輸電容

4、Crss=Cgdtd(on)Turnon延遲時間(信號輸入後,到輸出開始有變化所需的時間)td(off)Turnoff延遲時間(輸入信號結束後,到輸出端也開始有變化所需的時間)tr上升時間(輸出信號的由最大振幅的10%增加到90%所需的時間)tf下降時間(輸出信號的由最大振幅的90%減少到10%所需的時間)Qg閘極總電荷量(電晶體正常動作時)Qgs閘極與源極間的電荷量(電晶體正常動作時)Qgd閘極與汲極間的電荷量(電晶體正常動作時)VSD基體二極體(BodyDiode)的順向電壓DiodeVRSM瞬間最大逆向額定電壓(元件可承受瞬間的最大逆向電

5、壓值)VRM連續最大逆向額定電壓(元件可承受持續性的最大逆向電壓值)VR直流最大逆向額定電壓(元件可承受持續性的最大逆向直流電壓值)IF(AV)或IO平均整流電流IFSM瞬間額定電流(元件在瞬間可容許的最大順向電流)IFM最大額定電流(元件可容許的最大順向電流)Tj接面溫度Tstg儲存溫度VF順向電壓IR逆電流trr回復時間(將施加在元件上的順向電壓突然換成逆向電壓時,二極體Turnoff所需的時間)rd操作阻抗(即交流阻抗)VZ齊納電壓IZ齊納電流P最大額定功率Zz操作阻抗(即交流阻抗)