大工19春《模拟电子技术》在线作业1

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1、模拟电子技术1单选题1测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。BA处于饱和状态B处于放大状态C处于截止状态D已损坏2测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。BANPN型锗管BPNP型锗管CPNP型硅管DNPN型硅管3反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。AA越好B越差C无变化D不确定4在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。BA共射极B共集电极C共基极D不确定5对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。CA发射极B基极C集电极D不确

2、定6硅二极管的完全导通后的管压降约为()。DA0.1VB0.3VC0.5VD0.7V7引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。CA输入电阻太小B静态工作点偏低C静态工作点偏高D输出电阻太小8晶体管能够放大的外部条件是()。AA发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏9在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。AA温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷10温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。BA增大B减小C不变D不确定2判断题1N型半导体带正电。BA对B错2射极输出器无放大功

3、率的能力。BA对B错3当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。AA对B错4与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。AA对B错5对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。AA对B错6利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。AA对B错7温度升高,晶体管输入特性曲线右移。BA对B错8温度升高,晶体管输出特性曲线上移。AA对B错9阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。BA对B错10当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。BA对B错