4953(中文资料)

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1、双P沟道增强型MOS管---D4953概述与特点�概述：D4953内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻，适合用LED显示屏,LED显示器驱动,也可用来做负载开关或者PWM开关。封装图主要特性�专业设计，RDS(ON)极小；�耐用性和可靠性极强；�封装形式：SOP8。应用领域�LED显示屏，LED显示器等；�负载开关或者PWM开关电气参数25℃极限参数和热特性参数符号范围单位漏源电压VDS-30V栅源电压VGS±25V连续漏极电压ID-4.9A脉冲漏极电压IDM-30A2.5（TA=25℃）W最大耗散功率PD1.0（TA=100℃）W工作及存储温度T

2、J,TSTG-55to150℃结环热阻RQJA59℃/W一般电气特性：参数符号测试条件最小值典型值最大值单位静态参数漏极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=-250uA-30VD4953漏极导RDS(ON)VGS=-5V,ID=-4.0A85100mΩ通电阻开启电压VGS(TH)VDS=VGS,ID=-250uA-1.0-1.5-2.0V零栅压漏极电IDSSVDS=-2.0V,VGS=0V-1uA流漏极短路时截IGSSVGS=±10V,VDS=0V±80nA止栅电流动态参数栅极总电荷QG24VDS=-15V,ID=-4.6A栅源极电荷QGS5nCVGS=-10V栅漏极电荷Q

3、GD2导通延迟时间td(on)VDD=-1.5V,RL=7.5Ω16nS导通上升时间tfID=-2A,VGS=-10V18关断延迟时间td(off)RGEN=6Ω22nS关断下降时间tf15典型应用电路封装形式