EVO18技术说明

EVO18技术说明

ID:40455903

大小:551.00 KB

页数:14页

时间:2019-08-03

EVO18技术说明_第1页
EVO18技术说明_第2页
EVO18技术说明_第3页
EVO18技术说明_第4页
EVO18技术说明_第5页
资源描述:

《EVO18技术说明》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、CarlZeissSMT钨灯丝扫描电镜技术文件仪器型号:EVO182009年6月3日Attachment-13/14CarlZeissSMT目录附件一、品牌介绍附件二、设备用途附件三、技术指标附件四、供货范围及报价附件五、计划进度及培训附件六、环境要求附件七、质保及其它服务Attachment-13/14CarlZeissSMT附件一:聚焦·CARLZEISS世界可见光及电子光学的领导企业----德国蔡司公司始创于1846年。其电子光学前身为LEO(里奥),更早叫Cambridge(剑桥)和Zeiss。积扫描电镜领域40多年及透射电镜领域60年的经验,ZEISS电子束技术在世

2、界上创造了数个第一: 第一台静电式透射电镜(1949) 第一台商业化扫描电镜(1965)第一台数字化扫描电镜(1985) 第一台场发射扫描电镜(1990) 第一台带有成像滤波器的透射电镜(1992) 第一台具有Koehler照明的200kV场发射透射电镜(2003) 第一台具有镜筒内校正Omega能量滤波器的场发射透射电镜(2003)CARLZEISS其前瞻性至臻完美的设计融合欧洲至上制造工艺造就了该品牌在光电子领域无可撼动的王者地位。自成立至今,一直延续不断创新的传统,公司拥有广泛的专有技术,,随着离子束技术和基于电子束的分析技术的加入、可为您提供钨灯丝扫描电镜、场发射扫描

3、电镜、双束显微镜(FIBandSEM)、透射电子显微镜等全系列解决方案。。其产品的高性能、高质量、高可靠性和稳定性已得到全世界广大用户的信赖与认可。作为全球电镜标准缔造者的CARLZEISS将一路领跑高端电镜市场为您开创探求纳米科技的崭新纪元。 CarlZeissSMT下属的纳米技术系统部在北京,上海,广州,鞍山设有营销公司和维修服务站,致力于蔡司电镜的技术咨询,销售和售后服务工作。Attachment-13/14CarlZeissSMT附件二:设备主要用途扫描电镜是以电子束作为光源,电子束在加速电压的作用下经过三级电磁透镜,在末级透镜上部扫描线圈的作用下,在试样表面做光栅状

4、扫描,,产生各种同试样性质有关的物理信息(如二次电子,背反射电子),然后加以收集和处理,从而获得表征试样形貌的扫描电子像。扫描电镜(SEM)广泛地应用于金属材料(钢铁、冶金、有色、机械加工)和非金属材料(化学、化工、石油、地质矿物学、橡胶、纺织、水泥、玻璃纤维)等检验和研究。在材料科学、金属材料、陶瓷材料半导体材料、化学材料等领域,进行材料的微观形貌、组织、成分分析。各种材料的形貌组织观察,材料断口分析和失效分析,材料实时微区成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面扫描和线扫描分布测量,晶体/晶粒的相鉴定,晶粒尺寸、形状分析,晶体、晶粒取向测量。选配附件:能谱仪:即X

5、射线能量色散谱仪,简称EDS主要是用来分析材料表面微区的化学成分,分析方式有定点定性分析、定点定量分析、元素的线分布、元素的面分布。波谱仪:(即X射线波长色散谱仪,简称WDS),用作微区成分分析。分析精度方面比能谱仪精度更高,可以做成分的定量分析。EBSD(电子背散射衍射仪):EBSD主要可做单晶体的物相分析,同时提供花样质量、置信度指数、彩色晶粒图,可做单晶体的空间位向测定、两颗单晶体之间夹角的测定、可做特选取向图、共格晶界图、特殊晶界图,同时提供不同晶界类型的绝对数量和相对比例,即多晶粒夹角的统计分析、晶粒取向的统计分析以及它们的彩色图和直方统计图,还可做晶粒尺寸分布图,

6、将多颗单晶的空间取向投影到极图或反极图上可做二维织构分析,也可做三维织构即ODF分析。离子溅射仪:样品镀覆导电膜(金膜),喷碳,使绝缘材料能够导电,是配合扫描电子显微镜制样必备的仪器。Attachment-13/14CarlZeissSMT附件三:技术指标EVO18是一台高性能、功能强大的高分辨应用型扫描电子显微镜。系统采用多接口的大样品室和艺术级的物镜设计,提供高真空成像功能,可对各种材料表面作分析。并且具有业界领先的X射线分析条件,样品台为五轴全自动控制。标准的高效率无油涡轮分子泵满足快速的样品更换和无污染成像分析。主要参数:1.光学系统1.1、光源:钨灯丝。预对中式灯丝

7、,灯丝具有自动加热、自动对中功能。1.2、聚焦:具有手动及自动聚焦功能。1.3、光阑:三级可调物镜光阑。*1.4、加速电压:200V-30kV,10V步进连续可调。1.5、图像电平移:±50µm。*1.6、放大倍数:5×~1000,000×,连续可调。*1.7、分辨率:高真空二次电子像=3.0nm(30kV);低真空背散射电子像=4.0nm(30kV)。*1.8、探针电流范围:0.5pA~5μA,连续可调。1.9、聚焦工作距离:2mm~145mm。2.0、电子束气体路径长度:<2mm。2、真空系统*2.

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。