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时间:2019-08-02
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1、WireBonding技術入門WireBonding原理Bonding用WireBonding用Capillary焊接时序圖BSOB&BBOSWirebondingloop(線弧)Wirebond不良分析Preparedby:神浩Date:Nov.11th,2009WireBonding------引線鍵合技術WireBonding的作用電路連線,使晶片與封裝基板或導線框架完成電路的連線,以發揮電子訊號傳輸的功能WireBonding的分類按工藝技術:1.球形焊接(ballbonding)2.楔形焊接(wedgebondin
2、g)按焊接原理:1.熱壓焊300-500℃無超聲高壓力引線:Au2.超聲焊室溫有超聲低壓力引線:Al、Au3.熱超聲焊100~150℃有超聲低壓力引線:AuIC封裝中電路連接的三種方式:倒裝焊(Flipchipbonding)載帶自動焊(TAB---tapeautomatedbonding)引線鍵合(wirebonding)1.WireBonding原理WireBonding的四要素:Time(時間)Power(功率)Force(壓力)Temperature(溫度)熱超聲焊的原理:对金属丝和压焊点同时加热加超声波,接触面便产
3、生塑性变形,并破坏了界面的氧化膜,使其活性化,通过接触面两金属之间的相互扩散而完成连接。2.Bonding用WireAuWIRE的主要特性:具有良好的導電性,僅次於銀、銅。电阻率(μΩ・cm)的比較Ag(1.6)<Cu(1.7)<Au(2.3)<Al(2.7)據有較好的抗氧化性。據有較好的延展性,便於線材的制作。常用AuWire直径为23μm,25μm,30μm具有对熱压缩Bonding最适合的硬度具有耐樹脂Mold的應力的機械強度成球性好(經電火花放電能形成大小一致的金球)高純度(4N:99.99%)3.Bonding用C
4、apillaryCapillary主要的尺寸:H:HoleDiameter(Hole径)T:TipDiameterB:ChamferDiameter(orCD)IC:InsideChamferICANGLE:InsideChamferAngleFA:FaceAngle(Face角)OR:OutsideRadiusHWDHole径(H)Hole径是由规定的Wire径WD(WireDiameter)来決定H=1.2~1.5WDCapillary的選用:15(15XX):直徑1/16inch(約1.6mm),標準氧化鋁陶瓷XX51
5、:capillary產品系列號18:HoleSize直徑為0.0018in.(約46μm)437:capillary總長0.437in.(約11.1mm)GM:capillarytip無拋光;(P:capillarytip有拋光)50:capillarytip直徑T值為0.0050in.(約127μm)4:IC為0.0004in.(約10μm)8D:端面角度faceangle為8°10:外端半徑OR為0.0010in.(約25μm)20D:錐度角為20°CZ1:材質分類,分CZ1,CZ3,CZ8三種系列1/16inch總長L
6、Capillary尺寸對焊線品質的影響:Chamfer径(CD)Chamfer径过于大的话、Bonding強度越弱,易造成虛焊.CDCDChamfer角(ICA)Chamfer角:小→BallSize:小Chamfer角:大→BallSize:大CDCA:70(Degree)MBDSmallerCD–SmallerMBDCDCA:120(Degree)MBDBiggerCD–BiggerMBDChamferAngle:90°ChamferAngle:120°将Chamfer角由90°变更為120°可使Ball形状变大,随之B
7、all的宽度变宽、与Pad接合面積也能变宽。2ndNeck部Crack発生荷重过度附加接触面导致破损→HillCrack発生OR(OuterRadius)及FA(FaceAngle):对HillCrack、Capillary的OR(OuterRadius)及FA(FaceAngle)的數值是重要影響因素FA(FaceAngle)0°→8°變更FA0°→8°的變更並未能增加WirePull的測試強度,但如下图所示,能夠增加2ndNeck部的穩定性。FA:0°FA:8°次序动作1焊头下降至第一焊点之搜索高度2第一焊点之搜索3第一
8、焊点的接触阶段4第一焊点的焊接阶段5返回高度6返回距离7估计线长高度8搜索延迟9焊头下降至第二焊点之搜索高度10第二焊点之搜索11第二焊点的接触阶段12第二焊点的焊接阶段13线尾长度14焊头回到原始位置4.焊接时序圖焊头動作步驟焊头在打火高度(复位位置)线夹关闭–WireClampClos
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