大疆创新硬件笔试题

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1、产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式，换句话说，产生EMC问题的三个要素是：电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。                     传导、辐射7nO1pRh$z骚扰源-----------------------------（途径）------------------------------敏感受体MOS的并联使用原则：1.并联的MOS必须为同等规格，最好是同一批次的。2.并联的MOS的驱动电路的驱动电阻和放电电路必须是独立分开的，不可共用驱动电阻和放电电阻。3.PCB走线尽量保证对称

2、，减小电流分布不均光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout大小只受Vcc大小影响。此时Ic

3、状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量；3)CTR受多个因素影响。2.1光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设Ri=1k,Ro=1k,光耦CTR=50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi是5V的方波，输出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波吗？我们来算算：If=(Vi-1.6V)/Ri=3.4mA副边的电流限制：Ic’≤CTR*If=1.7mA假设副边要饱和导通，那么需要Ic’=(3.3V–0.4V)/1k=2.

4、9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA，Vout=Ro*1.7mA=1.7V所以副边得到的是1.7V的方波。为什么得不到3.3V的方波，可以理解为图.1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。解决措施：增大If；增大CTR；减小Ic。对应措施为：减小Ri阻值；更换大CTR光耦；增大Ro阻值。将上述参数稍加优化，假设增大Ri到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V的方波吗？重新计算：If=(Vi–1.6V)/Ri=17mA；副边电流限制

5、Ic’≤CTR*If=8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA)，所以实际Ic=2.9mA。所以，更改Ri后，Vout输出3.3V的方波。开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较，如果Ic/If≤CTR，说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量（建议小于CTR的90%）。工作在线性状态令当别论。2、输出特性曲线输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系，即 （5-4）三极管的输出特性曲线如图5-7所示

6、。由图5-7可见，当IB改变时，iC和uCE的关系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。  （1）截止区IB=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏，发射结电压uBE＜0，也是处于反偏的状态。由于iB＝0，在反向饱和电流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管，发射极和集电结都是反偏，在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是：处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0，该电流称为三极管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，不受iB的控制，但受温度的影

7、响。（2）饱和区在图5-4的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，如果电源电压VCC一定，当集电极电流iC增大时，uCE=VCC-iCRC将下降，对于硅管，当uCE 降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的状态，集电极吸引电子的能力将下降，此时iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCE＝UBE时的状态为临界饱和态，图5-7中的虚线为临界饱和线，在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为：    （5-1-4）式中的ICS，IBS，UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极

8、电流、基极电流和管子两端的电压（饱和管压降）。当管子两端的电压UCE＜UCES时，三极管将进入