存储器与可编程器件h

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1、第八章存储器与可编程器件杭州电子科技大学电子信息学院教材原著：《数字电路》龚之春编著8-1概述一.半导体存储器的特点及分类体积小，集成度高等2.分类：按制造工艺按存储原理双极型MOS型静态：存储单元是触发器动态：电容存储信息1.特点：二.存储器的技术指标存储容量=n字(单元数)×m位（n个单元m位的二进制信息）1K=1024Byte(字节)1M=1024K1G=1024M计算机的存储单元称为字节。这里的存储单元指存放一位0，1的物理器件1.存储容量：单位（位、字节、字）存储容量是ROM的主要技术指标

2、之一，它一般用存储字数：2N输出位数：m来表示(其中N为存储器的地址线数)。§2随机存取存储器(RAM)读写存储器又称随机存储器。特点：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称RAM。RandomAccessMemory...RAM按功能可分为静态、动态两类；RAM按所用器件又可分为双极型和MOS型两种。2.1静态RAM（SRAM）可随意读写数据2.2SRAM读写时序1、写2、读2.3动态RAM电容存储电荷刷新特点：存储容量大功耗大需要

3、刷新电路2.3动态RAM§3只读存储器(ROM)只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。ReadOnlyMemory...腌膜ROM：MROM可编程ROM：PROMOTP紫外线可擦写可编程：EPROM电可擦除可编程：EEPROM(E2PROM)闪烁存储器：FLASHROM串行电可擦除可编程：SE2PROM3.1固定ROM结构ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出及控制电路三部分组成。地址译码器存储矩阵N•M输出及控制电路地址输入......数据输出

4、腌膜ROM结构位线输出为：发射极和位线连通者为存1否则存0栅极和字线相连的单元相当于存0而断开的单元为存1但位线信号经反相放大后输出，故掩模图案与前面相当腌膜ROM符号、时序3.2可编程PROM出厂时熔丝全部完好，相当于存数为全10有效1有效PROM编程举例：烧程序该位存数为1该位存数为0按照编程表中各位数据d3～d0,将它们加到PROM的各位的输出端，加入编程脉冲（R/W＝0），写入数据dn，使相连的熔丝烧断或保留3.3可擦可编程只读存储器EPROMPROM中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，于是

5、又发展了一种可以改写多次的ROM，简称EPROM。它所存储的信息可以用紫外线或X射线照射檫去，然后又可以重新编制信息。§4存储器扩展4.1位扩展：RAM扩展地址线并联；读写片选线并联；数据线分组和数据总线相连。4.2字扩展：方法：芯片上地址线并联；数据线并联；读写线并联；扩展地址线经译码器译码后分接各个片选。2片扩展：非门(1/2)4片：2/4译码器8片：3/8译码器16片：4/16译码器片选译码器4.3混合扩展：例8－1试将容量为256×4位的SRAM，型号为AM9122，扩展成512×8位的RA

6、M组合。256＝28512＝29地址线增加1条数据线增加4条ROM的扩展（1K*82K*16）字与位都进行了扩展例8-2试将容量为1K×8位的PROM（28L85A）编程为8K×1位的ROM，画出必要的连线图，注明地址码的安排。ROM的应用实现组合逻辑函数，以及存储数学函数表或某种操作程序两线固定连接例8-3试用PROM实现8位B码至BCD码的转换。例8-4试用容量为2K×8位的PROM，构成字长14位的数据产生可控的奇/偶校验码，要求画出连线图，说明工作原理。11根3根0d0d01d0当d14=

7、0时，最终输出奇校验位当d14=1时，最终输出偶校验位一个容量为64K×16位的EPROM，可以存储汉字4096个，而地址码需16位，输出数据线需16条8-4可编程逻辑阵列（PLA）一、概述PLD中的连接及与、或运算符号内部存储单元的三种连接方式：固定、擦除及编程缺省：指门的输出固定为0门的输出固定为0有互补输入二、PLA的工作原理及应用PLA的结构从PROM派生来的，它包含与及或两个都可编程的阵列4×6×3PLA4个输入变量6个乘积项3个与或式逻辑函数例8-5试用PAL实现下列四变量的多输出函数，

8、画出PLA编程简图。解：通过卡诺图圈1法化简得到：则上式为：故可选用4×6×3的PLA，得：图中省去了与门和或门，使编程图更为简明例8-6试用适当的PLA和触发器实现一可变模分频器，当控制变量X=0时，分频模M=5；X=1时，M=7，且在状态Q2Q1Q0=111，输出Z均为1，其余情况均为0，此外，电路还具有异步置位输入SD。作业231112172022返回