低频电子电路_第3章节

《低频电子电路_第3章节》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、《低频电子电路》----------人民邮电出版社普通高等教育“十一五”国家级规划教材授课：曾浩因半导体PN结的复杂性，导致非线性导电的区域特性为分析的关键点。---------具体包含：区域条件区域模型与表达第三章半导体受控器件的分析第三章半导体受控器件的分析3.4应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取3.2非线性受控器件的求解分析与应用3.1非线性半导体元器件的分析概述回顾第一章分析具体方法大范围锁定工作点3.3直流工作点分析第三章半导体受控器件的分析3.1非线性半导体元器件的分析概述晶体管和场效应管的电流电压特性，与二极管一样都具有明显的区域特性，因此它们的

2、应用原则也应与二极管类似，即应用前必需确定管子特性的区域以及如何实现在该区域的应用。为了使讲述更连贯，我们先将第一章已讲过的二极管应用、分析的过程进行复习。第三章半导体受控器件的分析ivVD0ivVD(on)iv0直折线模型（1）直折线模型（2）直折线模型（3）abVD(on)RDD+-abVD(on)D+-abD电路模型与理性二极管第三章半导体受控器件的分析rsrjivQrs：P区和N区的体电阻，数值很小。rj：为PN结的增量结电阻。特定工作点Q条件下的小信号电路模型第三章半导体受控器件的分析回顾第一章例题1.3.2或门电路（二极管上电压在大范围的内确定)第三章半导体受控

3、器件的分析1.4.3全波整流电路（二极管上电压大范围变化)第三章半导体受控器件的分析iv01.3.2电位平移电路（二极管上电压可能解答）（二极管上电压在导通的较小区域内变化)工作点平台第三章半导体受控器件的分析ivQ1.明确非线性元器件工作区域2.明确非线性元器件是否需要工作点平台小结第三章半导体受控器件的分析3.2非线性受控电流器件的求解分析与应用第三章半导体受控器件的分析3.2.1晶体管非门基础电路非逻辑门电路的信号目标要求对应信息代码表述表述信息的实际电量输入输出输入vi输出vo010V5V105V0V要点：输出高低电位，属于非线性大范围应用。具体步骤：分别以两种输入

4、电平出发来分析。第三章半导体受控器件的分析基于晶体管iC受BE间电压或电流控制的特点，上图中，输入信息vi和-5V直流电源决定了基极电位vB的大小，5V直流电源和晶体管受控电流iC决定了输出vo的大小。B要点：发射结反偏，集电结反偏。---管子截止，输出高电位。要点：管子导通（放大、饱和或击穿）---电阻参数合理情况下，管子可以处于饱和，输出低电位。第三章半导体受控器件的分析条件：管子处于放大区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。3.2.2晶体管微变等效电路第三章半导体受控器件的分析基础模型第三章半导体受控器件的分析按结构精细化模型发射极E基极BPNN+集电极C

5、发射结集电结第三章半导体受控器件的分析基础数学模型低频晶体管rbb'为200300，高频晶体管约几十欧姆放大倍数与跨导的关系，第三章半导体受控器件的分析条件：管子处于饱和区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。3.2.3场效应管微变等效电路第三章半导体受控器件的分析电路模型第三章半导体受控器件的分析基础数学模型饱和时，输入电阻极大场效应管衬底（或背栅）跨导第三章半导体受控器件的分析按结构精细化模型第三章半导体受控器件的分析要点：直流电源作用下的计算问题。3.3直流工作点分析第三章半导体受控器件的分析分析指标：IBQ、VBEQICQ、VCEQ即分析交流输入信号为

6、零时，放大电路中直流电压与直流电流的数值。具体步骤：（1）直流通路3.3.1工作点的建立及近似计算（2）作图法或近似计算法的选择第三章半导体受控器件的分析具体步骤：（1）直流通路（2）作图法或近似计算法的选择双电源供电方案第三章半导体受控器件的分析注：作图法有利于解题思路的建立作图法（2）直流负载线（1）晶体管特性描述第三章半导体受控器件的分析图解法分析步骤：（1）由电路输入特性确定IBQ写出管外输入回路直流负载线方程(vBEiB)。在输入特性曲线上作直流负载线。找出对应交点，得IBQ与VBEQ。（2）由电路输出特性确定ICQ与VCEQ写出管外输出回路直流负载线方程(vC

7、EiC)。在输出特性曲线上作直流负载线。找出负载线与特性曲线中IB=IBQ曲线的交点，即Q点，得到ICQ与VCEQ。第三章半导体受控器件的分析例1：已知电路参数和三极管输入、输出特性曲线，试求IBQ、ICQ、VCEQ。Q输入回路直流负载线方程VBE=VBB-IBRBVBBVBB/RBVBEQIBQ+-IBVBBIC-+VCCRBRC+-VBE+-VCE输出回路直流负载线方程VCE=VCC-ICRCICVCE0VBEIB0IB=IBQVCCVCC/RCQICQVCEQ第三章半导体受控器件的分析即利用直流通路，计算静