肖特基二极管简介

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1、肖特基二极管简介肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。Schottkydiode(SBD)istheSchottkybarrierdiode,istheinventoroftheSch

2、ottkynamedsemiconductordevice.Schottkybarrierdiodeisalowpower,highcurrent,superhighspeedsemiconductordevices,insteadofusingPtypesemiconductorandthen-typesemiconductorcontactformationPNjunctiontheorytomake,buttheuseofmetalsemiconductorcontactformationofmetalsemiconductorjunctionwi

3、ththeprincipleofmakingthe.Therefore,SBDisalsoknownasametalsemiconductor(contact)diodeorasurfacebarrierdiode,whichisahotcarrierdiode.肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作

4、的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。Schottkydiodeisasemiconductordevice,whichisnamedafteritsinventor(March4,1976-July23,1886),SBDistheSchottkybarrierdiode(

5、SchottkyBarrierDiode,abbreviatedasSBD).SBDdoesnotusethep-typesemiconductorandthen-typesemiconductorcontactformationPNjunctiontheorytomake,buttheuseofmetalsemiconductorcontactformationofmetalsemiconductorjunctionwiththeprincipleofmakingthe.Therefore,SBDisalsoknownasametalsemicondu

6、ctor(contact)diodeorasurfacebarrierdiode,whichisahotcarrierdiode.Schottkydiodeistheadventoflowpower,highcurrent,ultrahighspeedsemiconductordevices.Thereverserecoverytimeisveryshort,smalltoafewnanoseconds)andpositiveguidethroughpressuredropofonly0.4%,andrectifiedcurrentcanreachtho

7、usandsofMa.Theseexcellentpropertiesarenotcomparabletothefastrecoverydiode.MediumandsmallpowerSchottkyrectifierdiodesaremostlyusedinpackageform.原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也

8、就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低