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时间:2019-07-27
《矿大数电模电2012考试复习提纲》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、复习与考试一、考查什么二、复习什么三、怎样复习一、考什么1会看:电路的识别、定性分析。各种电路:共射、共基、功放(OTL、OCL) 负反馈放大电路 比例、加减、积分、微分……等运算电路单限电压比较器正弦波发生电路直流稳压电源……性能如何:放大倍数的大小、输入电阻的高低、带负载能力的强弱、 输出功率的大小、效率的高低2会算:电路的定量分析。例如求解电压放大倍数、输入电阻、输出电阻运算关系输出电压波形、幅值输出功率及效率一、考什么在已知需求情况下选择电路形式,例如:是何种组态电路;是否用集成放大电路。是采用何种负反馈电路(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)。一、
2、考什么3会选:根据需求选择电路及元器件1概念和性能指标:每个术语的物理意义,如何应用。2基本电路:电路结构特征、性能特点、基本功能、适用场合,这是读图的基础。基本放大电路集成运放运算电路正弦波振荡电路电压比较器信号变换电路功率放大电路直流电源二、复习什么以基本概念、基本电路、基本分析方法为主线二、复习什么3基本分析方法通常,不同类型的电路采用不同的方式来描述其功能和性能指标,不同类型电路的指标参数有不同的求解方法。正确识别电路,并求解电路性能指标 例如:放大电路:放大倍数、输入电阻、输出电阻运算电路:运算关系式描述电压比较器:电压传输特性描述功率放大电路:最大输出功率和效率波形发
3、生电路:输出电压波形及其周期和振幅求解方法 例如求解放大电路的参数:微变等效电路法求解运算电路:虚短和虚断及节点电流法、叠加原理第一章半导体二极管及其基本电路1、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用;2、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法;3、掌握稳压管工作原理及使用;要求:本章知识点一、二极管的最主要特性----单向导电性1.二极管加正向电压(正向偏置,阳极接正、阴极接负)时,二极管处于正向导通状态,二极管正向电阻较小,正向电流较大。2.二极管加反向电压(反向偏置,阳极接负、阴极接正)时,二极管处于反向截止状态,二极管反向电阻较大,反向电流很小。3.外加电压大于反
4、向击穿电压二极管被击穿,失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响,温度愈高反向电流愈大。本章知识点1理想模型:理想二极管(vD>0)二极管导通VF=0r=0开关闭合(vD<0)二极管截止iD=0r=∞开关断开二、二极管正向V-I特性的模型本章知识点2恒压降模型:(vD>VF)二极管导通vD=VFr=0开关闭合(vDV阴或UD为正,二极管导通,U=0V若V阳V阴+0.7或UD>0.7,二极管导通
5、,U=0.7V(硅管)若V阳6、用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化,是CCCS器件。BJT的三端分别称为发射极E、基极B和集电极C。BJT的放大作用要求其内部结构特点是发射区重掺杂、基区轻掺杂宽度很窄、集电结面积较大。要求外部条件是发射结正偏、集电结反偏。BJT电流分配关系:IE=IB+IC=(1+)IB两种极间反向电流关系:ICEO=(1+)ICBO本章知识点一、半导体三极管(BJT)BJT输出特性三个区的划分及特点NPN型条件各结偏置特点截止区VBVB>VEE结正偏﹑C结反偏IC≈IB饱和区VB>VE,VB>VCE﹑C结均正偏VCE=VCE7、SPNP型条件各结偏置特点截止区VB>VE,VB>VCE﹑C结均反偏IC≈0放大区VC
6、用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化,是CCCS器件。BJT的三端分别称为发射极E、基极B和集电极C。BJT的放大作用要求其内部结构特点是发射区重掺杂、基区轻掺杂宽度很窄、集电结面积较大。要求外部条件是发射结正偏、集电结反偏。BJT电流分配关系:IE=IB+IC=(1+)IB两种极间反向电流关系:ICEO=(1+)ICBO本章知识点一、半导体三极管(BJT)BJT输出特性三个区的划分及特点NPN型条件各结偏置特点截止区VBVB>VEE结正偏﹑C结反偏IC≈IB饱和区VB>VE,VB>VCE﹑C结均正偏VCE=VCE
7、SPNP型条件各结偏置特点截止区VB>VE,VB>VCE﹑C结均反偏IC≈0放大区VC
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