大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场

大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场

ID:40204694

大小:980.50 KB

页数:7页

时间:2019-07-25

大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场_第1页
大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场_第2页
大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场_第3页
大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场_第4页
大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场_第5页
资源描述:

《大学物理实验讲义实验04磁阻效应法测量磁场》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、实验15磁阻效应法测量磁场物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。磁场的测量可利用电磁感应,霍尔效应,磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。磁阻元件的发展经历了半导体磁阻(MR),各向异性磁阻(AMR),

2、巨磁阻(GMR),庞磁阻(CMR)等阶段。本实验研究AMR的特性并利用它对磁场进行测量。【实验目的】1.了解AMR的原理并对其特性进行实验研究。2.测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。3.测量地磁场。【仪器用具】ZKY-CC各向异性磁阻传感器(AMR)与磁场测量仪【实验原理】各向异性磁阻传感器AMR(AnisotropicMagneto-Resistivesensors)由沉积在硅片上的坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜形成电阻。沉积时外加磁场,形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻与电流与磁化方向的夹角有关,电流与磁化方向平行时电阻Rmax最大,电

3、流与磁化方向垂直时电阻Rmin最小,电流与磁化方向成θ角时,电阻可表示为:(1)在磁阻传感器中,为了消除温度等外界因素对输出的影响,由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥,结构如图1所示。图1中,易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。理论分析与实践表明,采用45度偏置磁场,当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场,且外磁场强度不太大时,电桥输出与外加磁场强度成线性关系。无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时,磁化方向即易磁化轴方向,电桥的4个桥臂电阻阻值相同,输出为零。当在磁敏感方向施加如图1所示方向的磁场时,合成磁化方向将在易磁化方向的

4、基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大,电阻减小ΔR;右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小,电阻增大ΔR。通过对电桥的分析可知,此时输出电压可表示为:(2)图1磁阻电桥式中Vb为电桥工作电压,R为桥臂电阻,ΔR/R为磁阻阻值的相对变化率,与外加磁场强度成正比,故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比,可利用磁阻传感器测量磁场。a磁干扰使磁畴排列紊乱商品磁阻传感器已制成集成电路,除图1所示的电源输入端和信号输出端外,还有复位/反向置位端和补偿端两对功能性输入端口,以确保磁阻传感器的正常工作。c反向置位脉冲使磁

5、畴排列方向反转图2置位/反向置位脉冲的作用b复位脉冲使磁畴沿易磁化轴整齐排列复位/反向置位的机理可参见图2。AMR置于超过其线性工作范围的磁场中时,磁干扰可能导致磁畴排列紊乱,改变传感器的输出特性。此时可在复位端输入脉冲电流,通过内部电路沿易磁化轴方向产生强磁场,使磁畴重新整齐排列,恢复传感器的使用特性。若脉冲电流方向相反,则磁畴排列方向反转,传感器的输出极性也将相反。从补偿端每输入5mA补偿电流,通过内部电路将在磁敏感方向产生1高斯的磁场。可用来补偿传感器的偏离。图3为AMR的磁电转换特性曲线。其中电桥偏离是在传感器制造过程中,4个

6、桥臂电阻不严格相等带来的,外磁场偏离是测量某种磁场时,外界干扰磁场带来的。不管要补偿哪种偏离,都可调节补偿电流,用人为的磁场偏置使图3中的特性曲线平移,使所测磁场为零时输出电压为零。【仪器介绍】实验仪结构如图4所示,核心部分是磁阻传感器,辅以磁阻传感器的角度、位置调节及读数机构,赫姆霍兹线圈等组成。本仪器所用磁阻传感器的工作范围为±6高斯,灵敏度为1mV/V/Guass。灵敏度表示,当磁阻电桥的工作电压为1V,被测磁场磁感应强度为1高斯时,输出信号为1mV。磁阻传感器的输出信号通常须经放大电路放大后,再接显示电路,故由显示电压计算磁场

7、强度时还需考虑放大器的放大倍数。本实验仪电桥工作电压5V,放大器放大倍数50,磁感应强度为1高斯时,对应的输出电压为0.25伏。赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R。这种线圈的特点是能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场,根据毕奥-萨伐尔定律,可以计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为:(3)式中N为线圈匝数,I为流经线圈的电流强度,R为赫姆霍兹线圈的平均半径,为真空中的磁导率。采用国际单位制时,由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉(1特斯拉

8、=10000高斯)。本实验仪N=310,R=0.14m,线圈电流为1mA时,赫姆霍兹线圈中部的磁感应强度为0.02高斯。磁阻传感器盒传感器轴向移动锁紧螺钉传感器绕轴旋转锁紧螺钉传感器水平旋转锁紧螺钉赫姆霍兹线圈传感器横向

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。