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时间:2019-07-24
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1、版本更改内容生效日期A/02010-7-15编制/日期:审核/日期:批准/日期:会签记录:部门会签状态部门会签状态分发单位:■检测中心文件控制印章1.目的:为公司产品在设计、制造、贮存、包装等各个环节提供明确可靠的ESD技术支持,从整体上提高公司静电防护和控制水平,提高客户的满意度。2.适用范围本文适用于本公司的防静电控制。本文中的各项要求适用于防静电敏感区域。当客户的产品有特殊要求时,采用客户要求。3.职责3.1各部门主管负责本部门工作区域、生产制造过程中的静电防护措施的执行。3.2质检部负责根据本程序要求实施防
2、静电用具的进料检测和静电线、接地线、静电垫等防静电设施测试和记录以及所有相关记录的保存,监督公司的防静电措施要求和标准的执行状况。3.3工程技术部负责制定公司的防静电措施要求和标准。4.目录:4.1静电敏感区域的界定。4.2静电敏感区域的工程环境防静电规范。4.3静电敏感区域的人员防静电规范。4.4静电敏感区域的防静电操作方法规范。4.5静电敏感区域的工装,设备,仪器以及防静电器材的防静电规范。4.6常用的检测方法。4.7静电防护作业管理指导。4.8附录A-------ESD相关术语。4.9附录B-------常用
3、的防静电标志。4.10附录C-------部分静电敏感器件的静电敏感电压。4.11附录D------引用的标准及参考文献。4.12附录E------相关记录。4.13附录F------版本修订历史记录。5.静电敏感区域的界定:5.1静电敏感区域确定:5.1.1ESD敏感器件的生产区域------生产线等。5.1.2ESD敏感器件的前加工区域------前加工房。5.1.3ESD敏感器件的贮存区域------库房和在线库。5.1.4ESD敏感器件的返修区域------返修区及返修工位。5.1.5ESD敏感器件的老化区
4、域------老化房。5.2公司的静电敏感器件:5.2.1MOS器件、MOS管、FET器件、场效应管、TTL器件、、AMP放大器、比较器、调节器、存储体器件和记忆体器件(如PROM、EPROM、SRAM、DRAM、FLASH等)、CPU微处理器及各种BGA器件等集成电路。5.2.2各种二极管、三极管、各种半导体开关元件。5.2.3各种厚膜和薄膜电阻,钽电解电容。5.2.4SAW—声表面波器件。5.2.5石英、晶振体器件。5.2.6以上元器件组装的PCBA板。5.3静电敏感区域的标识:5.3.1静电敏感区的区域界限应
5、该用黄黑相间的斜条纹来标识,线条宽度为5~10CM这两种斜条纹是专门用来标识静电敏感区的区域界限的,不可作为其它标识用。5.3.2从静电敏感区域的入口处开始,在明显处还应贴上静电敏感区的警示标志,该标志应符合GJB16491.1.1的规定。如图A:防静电容器(防静电周转箱,防静电元件盒等),元件架和运输车等器材上应有防静电标志,标志应置于明显且不易受到磨损的地方。如图B:图A图C黄黑相间的斜条纹静电敏感区域警示标志图B防静电标志1.1.2经过防静电液处理的物品和场所也应有防静电标志。如图C:1.1.3含有ESSD的
6、图纸资料,应有ESSD标志。1.1.4设备的外部端口标志应符合GJB1649中第5.8.3条要求。1.1.5整机包装标志应符合GJB1649中第5.10条要求。1.1.6交付文件标志应符合GJB1649中第5.9.1条要求。2.静电敏感区域的工程环境防静电规范2.1防静电工程环境的设计原则:设计防静电工程环境时,为达到静电防护的要求应遵循以下原则:2.1.1抑制静电荷的积累和静电压的产生2.1.2安全、迅速、有效的消除已产生的静电荷2.1.3防静电工作区应按电子元器件静电敏感度确定防护所应达到的级别和程度。一般的要
7、求静电防护区内静电电压绝对值应小于100V。2.1.4防静电区域应标明区域界限并在明显处悬挂警示标志。2.1.5在防静电工作区内禁止使用易产生静电荷的电荷源。表一为常见的电荷源:表一类别电荷源工作台表面油漆或浸漆表面、普通塑料帖面、普通乙烯及树脂表面地板塑料及普通地板革、抛光打蜡木地板、普通乙烯树脂工作鞋、帽、鞋普通涤纶、合成纤维及尼龙面料、塑料及普通胶第鞋操作工具及设备普通塑料盒、架、瓶、盘用品及纸制品、普通泡沫及一般电动工具、压缩机、喷射设备、蒸发设备等2.2防静电工程环境的要求:2.2.1环境的温度和湿度要求
8、:温度应在15℃至30℃之间,湿度应在45%至75%之间,环境内应配备温度计和湿度计,并按要求做好点检记录。如果环境内的空气过于干燥,应使用加湿器或其它办法来满足湿度要求,但应以不对产品造成有害影响为前提。如果湿度高了应该开空调或抽湿机来使其满足要求。温度计和湿度计使用要求:1)对温度、湿度做监测的石英温湿度仪,必须放置在水平稳定的平面上。2)有温湿度测量仪
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