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1、TFT基本架構及原理CstCstDesign(CstonCom&CstonGate)Design(CstonCom&CstonGate)CsCsGateLineGateLineTFTTFTDataLineDataLine液晶畫素液晶畫素HigherOpenRatioCsCommonCstonComCstonGatePixelLayout(CstonCom&CstonGate)PixelLayout(CstonCom&CstonGate)CstonGate/Com之名稱來自於Cst所接的信號來源依構成電容之層別種類可細分成MII&MIMDA/DI/DKCstonComMIMTFTTFTGate
2、Gate-line-lineViaViaDataData-line-lineCstCstITOITODL/DJ/DM/DNCstonGateMII電容設計差異電容設計差異----------MIMvs.MIIMIMvs.MII名詞解釋:M–metal金屬GE/SD/ITOI–Insulator絕緣層AS/BP用來使上述金屬層間之分隔避免之間ShortCstonCom即使用SD/GE作電容儲存,電容MIMMIM可較MII設計獲得較佳效果,可使用較小面積CrossCross-View-View獲得與MIM設計相同電容值,提高開口率目前採用CstonGate版本最主要原因---為減少前層之defe
3、ct所造成電容失效,pd21&pd11MIIMII即屬此類CrossCross-View-ViewCstonGate即使用ITO/GE作電容儲存PixelPixel主要組成要素主要組成要素畫面上一個點為三個pixel所組成(R紅,G綠,B藍)而每個pixel之組成要素則為1.TFTdeviceÆ主要作用為控制pixel信號之傳遞2.CstÆ主要功用為儲存電荷之用,確保在下一次更新信號來臨前可將先前之信號儲存於pixel內3.ITOÆ與彩色濾光片共同組成上下兩電極板提供電場使兩者之間之液晶角度變化以控制pixel之亮暗程度TFTConfigurationTFTConfigurationProc
4、essFlowTopsideexposure---UVlightMaskGlassTFTCsContactFilmAlNd(3000A)/Mo(500A)濺鍍CoatingPR上光阻(1.5um)ÆExp.ÆDevelopEtchAlNd/Mo蝕刻(WetEtch)StripperRemovePR(O+IPA)3CA/CL/CMIA/ILCstonGateCstonComMIMMIMTFTPatternGEPatternCstPatternASPatternSDPatternITOPatternBPPatternTFTPatternWLWcgdSpLSDTFTLITOCLGELBPLSTPL
5、LAS五層之基本功用介紹五層之基本功用介紹GE:1.掃描線(Scanline)決定畫面更新,可控制AS層開關之開啟或關閉2.作外圍金屬線路之用,避雷針……..AS:1.Pixel之開關,決定SD訊號輸入pixel裡,來決定pixel之亮暗程度2.Dummypattern,mark,numbers,…….notforcircuitlayout.3.絕緣層,i.e.RepairLinecross-overpads.SD:1.信號線(Dataline),決定每個pixel需要到達之電壓值決定其亮度2.作外圍金屬線路之用,避雷針……..BP:1.電路橋接點,將金屬層藉由BP挖Via洞將各層金屬連接,
6、以構成所想要之電路2.絕緣層,Dummypattern,mark,numbers,…….notforcircuitlayout.ITO:1.Pixel之電極板,可用來控制液晶,以決定pixel透光程度2.作外圍金屬線路串接用,因厚度較薄,通常用來作測試信號間之串接,於後段較易切斷,避免因cut線造成過多金屬屑影響電路TFTON/OFFTFTON/OFF假想示意圖假想示意圖GE信號OFF時DrainSourceSource和Drain是一斷路狀態a-Si電流無法流通使pixel充電G-SiNxGEDrainSourceGE信號ON時電流a-SiSource和Drain是一通路狀態電流由Drai
7、n經a-Si流向Source使pixel充電G-SiNxGEBottomgate(eg.BCEstructure)S/DmetalChanneln+a-SiG-SiNxGESubstrateCurrent－－－－－+++++PositivevoltageTiGE/SDAln+-α-Siα-SiITOG-SinNxSinNxGElayerBPlayerASlayerITOlayerSDlayerArraycom
