微光像增强器信噪比与MCP电压关系

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1、第3O卷第4期应用光学Vo1．30No．42009年7月JournalofAppliedOpticsJu1．2009文章编号：1002—2082(2009)04—0650—04微光像增强器信噪比与MCP电压关系刘术林，董煜辉，孙建宁。，邓广绪(1．北方夜视技术股份有限公司西安分公司，陕西西安710065；2．北方夜视技术股份有限公司昆明分公司，云南昆明650114；3．北方夜视技术股份有限公司南京分公司，江苏南京210110)摘要：为了揭示微通道板电压的变化对微光像增强器信噪比的影响，进一步优化像增强器的性能，分别测试出超二代和三代微光像增强器的信噪比随微通道板的电压变化曲线，前者在微通道

2、板电压为600V～800V时，信噪比单调增加到25．9，在800V～900V时，信噪比在25上下震荡并呈下降趋势，在900V～1000V时，迅速下降到21．8；而后者当MCP电压在800V～1000V时，单调增加到27．87，在800V～1180V时，则在26．61～28．66之间震荡。通过对微通道板噪声因子的理论分析，指出进一步降低微通道板噪声因子，改善微光像增强器信噪比的方法。关键词：微通道板；微光像增强器；信噪比；噪声因子中图分类号：TN144文献标志码：ARelationbetweensignal—t0一nOiseratioofLLLimageintensifierandvolta

3、ge0fMCPLIUShu—lin，DONGYu—hui。，SUNJian—ning，DENGGua~g—XU(1．Xi’anBranch，NorthNightVisionTechnologyCo．Ltd．，Xi’an，710065，China；2．KunmingBranch，NorthNightVisionTechnologyCO．Ltd，Kunming，650114，China；3．NanjingBranch，NorthNightVisionTechnologyCo．LtdtNanjing，210110，China)Abstract：Inordertorevealtheinfluenc

4、eofthevoltagevariationofmicrochannelplateonthesignal—to—noiseratioofLLLimageintensifierandoptimizetheperformanceoftheimageintensifier，thecurvesthatthesignal—to—noiseratioofsuperGenIIandGenIIIimageintensifiersvariateswiththevoltageofamicrochannelplatewereobtainedbytheaidofasignal—to—noiseratioteste

5、r．AsforthesuperGenIIimageintensifier，whenthemicroehannelplate’Svoltageisintherangeof600——800V，thesignal—to—noiseratioismonotonicallyincreasedtO25．9，whenitiSintherangeof80O～900V，theratioiS25orsoandhasdowntrend，andwhen9OO～1000V，theratioisrapidlydecreasedto21．8．AsfortheGenIIIimageintensifier，whenthem

6、icrochannelplate’Svoltageisintherangeof800～1000V，thesignal—to—noiseratioismonotonicallyincreasedtO27．87。andwhenthevoltageiSin1000～11800V，theratiofluctuatesfrom26．61to28．66．Incombinationwiththetheoreticalanalysisofmicrochannelplate’Snoisefactor，ame~hodtoreducethenoisefactorofmicrochannelplatesandim

7、provethesignal—to—noiseratioofLLLimageintensifiersisproposed．Keywords：microchannelplate；LLLimageintensifier；signal—to—noiseratio；noisefactor收稿日期：2009—02—03；修回日期：2009—03—24作者简介：刘术林(1963～)，男，河南光山人，北方夜视技术股份有限公司研究员级高