较大功率直流电机驱动电路的设计方案

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1、较大功率直流电机驱动电路的设计方案1引言　　直流电机具有优良的调速特性，调速平滑、方便、调速范围广，过载能力强，可以实现频繁的无级快速启动、制动和反转，能满足生产过程中自动化系统各种不同的特殊运行要求，因此在工业控制领域，直流电机得到了广泛的应用。　　许多半导体公司推出了直流电机专用驱动芯片，但这些芯片多数只适合小功率直流电机，对于大功率直流电机的驱动，其集成芯片价格昂贵。基于此，本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题，有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A的直流电机驱动电路。该电路驱动功率大，抗干扰能力强，具有广泛的应用前景。　　2H桥功率驱动电路的设

2、计　　在直流电机中，可以采用GTR集电极输出型和射极输出性驱动电路实现电机的驱动，但是它们都属于不可逆变速控制，其电流不能反向，无制动能力，也不能反向驱动，电机只能单方向旋转，因此这种驱动电路受到了很大的限制。对于可逆变速控制，H桥型互补对称式驱动电路使用最为广泛。可逆驱动允许电流反向，可以实现直流电机的四象限运行，有效实现电机的正、反转控制。而电机速度的控制主要有三种，调节电枢电压、减弱励磁磁通、改变电枢回路电阻。三种方法各有优缺点，改变电枢回路电阻只能实现有级调速，减弱磁通虽然能实现平滑调速，但这种方法的调速范围不大，一般都是配合变压调速使用。因此在直流调速系统中，都是以变压调速为主，通

3、过PWM(PulseWidth Modulation)信号占空比的调节改变电枢电压的大小，从而实现电机的平滑调速。　　2.1H桥驱动原理　　要控制电机的正反转，需要给电机提供正反向电压，这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。当开关S1和S4闭合时，电流从电机左端流向电机的右端，电机沿一个方向旋转;当开关S2和S3闭合时，电流从电机右端流向电机左端，电机沿另一个方向旋转，H桥驱动原理等效电路图如图1所示。　　图1H桥驱动原理电路图　　2.2开关器件的选择及H桥电路设计　　常用的电子开关器件有继电器，三极管，MOS管，IGBT等。普通继电器属机械器件，开关次数有限，开关速度比较慢。而且继电

4、器内部为感性负载，对电路的干扰比较大。但继电器可以把控制部分与被控制部分分开，实现由小信号控制大信号，高压控制中经常会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件，设基极电流为IB,集电极电流为IC,三极管的放大系数为β，如果，IB*β>=IC,则三极管处于饱和状态，可以当作开关使用。要使三极管处于开关状态，IB=IC/β，三极管驱动管的电流跟三极管输出端的电流成正比，如果三极管输出端电流比较大，对三极管驱动端的要求也比较高。MOS管属于电压驱动型器件，对于NMOS来说，只要栅极电压高于源极电压即可实现NMOS的饱和导通，MOS管开启与关断的能量损失仅是对栅极和源极之间的寄生电容的充放电，对MOS管

5、驱动端要求不高。同时MOS端可以做到很大的电流输出，因此一般用于需要大电流的场所。IGBT则是结合了三极管和MOS管的优点制造的器件，一般用于200V以上的情况。　　在本设计中，电机工作电流为3.8A,工作电压24V,电机驱动的控制端为51系列单片机，最大灌电流为30mA.因此采用MOS管作为H桥的开关器件。MOS管又有NMOS和PMOS之分，两种管子的制造工艺不同，控制方法也不同。NMOS导通要求栅极电压大于源极电压(10V-15V)，而PMOS的导通要求栅极电压小于源极电压(10V-15V)。在本设计中，采用24V单电源供电，采用NMOS管的通断控制的接线如图2所示，只要G极电压在10-

6、15V的范围内，NMOS即可饱和导通，G极电压为0时，NMOS管关断。　　图2NMOS接线图　　采用PMOS管实现通断控制时，其接线如图3所示，G极电压等于电源电压VCC时PMOS关断。 　　图3PMOS接线图　　10V15V时，要使PMOS导通则G极电压为VCC-15V.PMOS的导通与关断，是在电源电压VCC与VCC-15V之间切换，当电源电压VCC较大时控制不方便。比较图2图3可知：NMOS位于负载的下方，而PMOS位于负载的上方，用NMOS和PMOS,替换掉图1中的开关，就可以组成由MOS管组成的H桥，如图4所示。　　图4PMOS和NMOS管构成的H桥　　Q1和Q4导通，电机沿一个方

7、向旋转，Q2和Q3导通电机沿另一个方向旋转。在本系统中，电机的工作电压为24V,即电源电压为24V,则要控制H桥的上管(PMOS)导通和关断的电压分别为24V-15V=9V和24V,而对于下管(NMOS)来说，导通与关断电压分别为15V和0V,要想同时打开与关断上、下两管，所用的控制电路比较复杂。而且，相同工艺做出的PMOS要比NMOS的工作电流小，PMOS的成本高。分别用PMOS和NMOS做上管与下管，电路