《半导体器件》总结复习

《《半导体器件》总结复习》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、半导体器件复习第2章基本概念PN结同质结异质结○同型结○异型结○高低结金属-半导体结突变结线性缓变结单边突变结空间电荷区中性区耗尽区耗尽近似势垒区少子扩散区扩散近似正向注入反向抽取正偏复合电流反偏产生电流隧道电流产生隧道电流的条件隧道二极管的主要特点过渡电容(耗尽层电容)扩散电容等效电路反向瞬变电荷贮存贮存电荷隧道击穿雪崩击穿临界电场雪崩倍增因子雪崩击穿判据问题解释利用热平衡费米能级恒定的观点分析PN结空间电荷区的形成。从载流子扩散与漂移的角度分析PN结空间电荷区的形成。根据载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。写出边界条件公式（2-2-11），（2-2-12），说明PN结

2、的正向注入和反向抽取作用。第3章基本概念发射极注射效率基区输运因子共基极直流电流增益共发射极电流增益共基极截止频率共发射极截止频率增益带宽乘积电流集聚效应基区宽度调变效应（Early效应）基区渡越时间科尔克（Kirk）效应输入导纳跨导根梅尔（Gummel）数穿通击穿问题解释BJT的四种工作模式及工作条件写出BJT的少子边界条件定性及半定量说明BJT的开关作用。第4章基本概念M-S结的两个效应整流接触（整流结）欧姆接触（非整流结）肖特基势垒高度肖特基效应（镜象力使势垒降低的效应）问题解释肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较。画出加偏压肖特基势垒能带图，说明肖特基势垒二极管的整流

3、特性。为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接触？第5章基本概念场效应单极器件(unipolardevices)沟道夹断夹断电压内夹断电压漏极导纳跨导栅极总电容截止频率沟道长度调制效应问题解释与JFET相比MESFET有哪些特点？什么是增强型和耗尽型JFET？第6章基本概念理想MOS结构的基本假设○载流子积累○载流子耗尽○载流子反型沟道电荷○表面电容沟道电导阈值电压线性导纳跨导问解释题MOS结构存在哪些氧化层电荷和界面陷阱电荷？简述它们的基本属性。写出实际阈值电压的表达式并说明各项的物理意义。