《晶体三极管》ppt课件

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1、第四讲晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入、输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型一、结构一、三极管的结构和符号BECNNP基极发射极集电极发射结集电结二、类型有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNPVBBRBVCcIE基区空穴向发射区的扩散IEP可忽略。IBN进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形

2、成电流IBN，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。二、晶体管电流放大原理RcBECNNPVBBRBVCCIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICN+ICBOICNIBNICN从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICn。一、载流子传输过程发射、复合、收集电流IBNRcIB=IBN+IEP-ICBOIBBECNNPVBBRBVCCIEICBOICNIBN二、各极电流关系IE=IEN+IEP=IBN+ICN+IEPIC=ICN+ICBORc电流分配：I

3、E＝IB＋ICIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流ICE与IBE之比称为电流放大倍数三、电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管ICmAAVVUCEUBERBIBVCCVBB实验线路三、晶体管的共射输入特性和输出特性RcUCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。1、输入特性为什么U

4、CE增大曲线右移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称

5、为饱和区。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？饱和区放大区截止区放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0晶体管的三个工作区域例：=50，VCC=12V，RB=70k

6、，RC=6k当VBB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？当VBB=-2V时：ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大饱和电流：Q位于截止区例：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？IC

7、Q位于哪个区？ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEQ位于饱和区，此时IC和IB已不是倍的关系。四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=2.集-基极

8、反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。BECNNPICBOICEO=IBN+ICBOIBNIBNICBO进入N区，