电气设备绝缘的检测和诊断

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1、第三章电气设备绝缘的检测和诊断缺陷产生根源制造或修理过程中潜伏下来的运输及保管过程中形成的运行中绝缘老化发展起来的缺陷分类局部性（集中性）缺陷整体性（分布性）缺陷电气设备绝缘试验方法分类非破坏性（检查性）试验破坏性（耐压）试验第一节绝缘电阻和吸收比的测量一、兆欧表的工作原理二、绝缘电阻和吸收比的测量吸收比极化指数三、测量绝缘电阻时的注意事项1.试验前被试品应充分放电；2.测K及PI时,应等电源电压稳定后再接入被试品；3.防止试验中被试品电容所充电荷放电损坏兆欧表；4.记录温度和湿度。四、影响测量结果的主要因素1.湿度相对湿度绝缘吸收水分表面形成水膜绝缘电阻2.温度温度离

2、子数离子运动速度电导电流绝缘电阻测量绝缘电阻时，应记录温度和湿度，以便进行比较。3.表面脏污和受潮4.放电时间(残余电荷)及感应电压的影响五、测量结果的分析判断1.与《规程》规定的允许值比较；2.与历史资料比较（纵向比较）；3.与同类产品比较（横向比较）。第二节直流泄漏电流的测量一、试验接线1.微安表接于高压侧AV--自耦调压器，用来调节电压；T--试验变压器，用来供给整流前的交流高压；V--高压硅堆，用来整流；C--滤波电容器，用来减小输出整流电压的脉动，当被试品的电容CX较大时，C可以不用，当CX较小时，则需接入0.1μF左右的电容器以减小电压脉动；R--保护电阻，

3、用来限制被试品击穿时的短路电流以保护变压器和高压硅堆，其值可按10Ω/V选取。此接线适合于被试绝缘一极接地的情况；微安表接于高压端，不受高压对地杂散电流的影响，测量结果较准确；为了避免由微安表到被试品的连线上产生的电晕及沿微安表绝缘支柱表面的泄漏电流流过微安表，需将微安表及从微安表至被试品的引线屏蔽起来。微安表处于高压端，给读数及切换量程带来不便。2.微安表接于低压侧微安表接在接地端，读数和切换量程安全、方便；高压部分对外界物体的杂散电流入地时都不会流过微安表，所以不用加屏蔽，测量比较精确。要求被试绝缘的两极都不能接地，仅适合于那些接地端可与地分开的电气设备。二、微安表

4、的保护1.增压电阻R：微安表内阻较小，两端压降不足以使放电管放电，所以串接增压电阻R；UF--放电管的实际放电电压（V）；Ie--微安表的额定电流（μA）；二、微安表的保护2.电感L：防止突然短路时放电管来不及动作；3.开关K：一般情况下将微安表短路，只在读数时将其打开，读完数后要迅速合上，以保护微安表。二、微安表的保护4.电容器C：滤掉泄漏电流中的交流分量和通过微安表的交流电流，减小微安表的摆动；5.放电管F：当回路中出现危及微安表的大电流时，能迅速放电，自动将微安表短路。二、微安表的保护三、测量时的注意事项1.微安表必须进行保护；2.被试品电容量小时应加稳压电容；3

5、.试验结束后应充分放电。四、影响测量结果的主要因素1.温度的影响；2.表面泄漏电流的影响；3.残余电荷的影响。五、测量结果的分析判断是否符合规程规定值；2.与前一次测试结果相比应无明显变化；3.同一设备三相之间或同类设备间相互比较。第三节介质损失角正切值的测量一、QS1型西林电桥的基本原理现场电气设备的外壳一般都是固定接地的，所以只能改用图3-6所示的反接线。二、测量时的注意事项1.无论采用何种接线方式，电桥本体必须良好接地。2.为防止检流计损坏，应在检流计灵敏度最低时接通或断开电源。3.对能分开的被试品应尽量分开测试。因为当体积较大的设备中存在局部缺陷时，测量总体的t

6、g值不易反映出这些局部缺陷；而对体积较小的设备，测tg值就容易发现局部缺陷。三、影响测量结果的主要因素1.外界电场干扰外界电场干扰主要是干扰电源（包括试验用高压电源和试验现场高压带电体）通过带电设备与被试设备之间的电容耦合造成的。为避免干扰，最根本的办法是尽量离开干扰源，或者加电场屏蔽，但在现场中往往难以实现。对于同频率的干扰，可以采用移相法或倒相法来消除或减小对tg的测量误差。移相法是利用移相器改变试验电源的相位，使被试品中的电流与同相或反相，此时，因此测出的是真实的值，即，通常在试验电源和干扰电流同相和反相两种情况下分别测两次，然后取其平均值。而正、反相两次所

7、测得的电流分别为和，因此被试品电容的实际值应为正、反相两次测得的平均值。倒相法是移相法中的特例。测量时将电源正接和反接各测一次，得到两组测量结果，根据这两组数据计算出电容和介损。主要是由测试现场附近漏磁通较大的设备产生的交变磁场作用于电桥检流计内的电流线圈回路造成的。为了消除磁场干扰，可设法将电桥移到磁场干扰范围以外。若不能做到，则可以改变检流计极性开关进行两次测量，用两次测量的平均值作为测量结果，以减小磁场干扰的影响。2.外界磁场的干扰温度对tg的影响随材料、结构的不同而不同。一般情况下，tg随温度上升而增加。现场试验时，设备温度是