特高压直流输电线路污秽外绝缘设计及配置

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1、万方数据第34卷第5期·862·2008年5月高电压技术HighVoltageEngineeringV01．34No．5May2008特高压直流输电线路污秽外绝缘设计及配置吴光亚1，郭贤珊2，张锐1(1．国网武汉高压研究院，武汉430074；2．国家电网公司，北京100031)摘要：针对污秽外绝缘设计是士800kV直流工程关键技术问题之一，提出了对土800kV直流输电线路绝缘子串进行污秽外绝缘设计考虑现场污秽度校正、NSDD校正及采用污耐压方法进行污秽外绝缘设计的方法；根据瓷、玻璃绝缘子的污耐压曲线对+800kV直流输电线路“l”型绝缘子串进行了污秽外绝缘设计。结果表明，在轻污秽度

2、等级下，采用210kN盘形悬式绝缘子，按爬电距离等同原则换算需64片，按结构高度等同原则换算需67片。关键词：特高压；绝缘子；土800kV直流，输电线路；污秽}外绝缘中图分类号：TM853文献标志码：A文章编号：1003—6520【2008105—0862—05PollutionExternalInsulationDesignandArrangementofUHVDCTransmissionLineWUGuang—yal，GUOXian—shan2。ZHANGRuil(1．WuhanHighVoltageResearchInstituteofSGCC，Wuhan430074，Chi

3、na；2．StateGridCorporationofChina，Beijing100031，China)Abstract：Onthebasisofdataandanti—pollutiontechnologyknowledge-lotsoftechnologyresearchresults，suchasthecorrectionofSPS-thecorrectionofNSDDandSOonshouldbeconsideredin800kVUHVDCtransmissionlineexternalinsulationdesignandarrangement．Theexternal

4、insulationdesignfor士800kVUHVDctransmissionline”I”insulatorsstringispresentedonthebasisofresearchdata-correctionandpollutionwithstandvoltagecurveofceramicandglassinsulators．Theresearchresultsindicatethat64units210kNcapandpininsulatorsareusedfor”I”insulatorsstringinlightpollutionclassaccordingtO

5、theprincipleofsamecreepagedistance。and67units210kNcapandpininsulatorsareusedaccordingtOprincipleofthesamestructureheight．Ifcompositeinsulatorisused，thecompositeinsulatorstructureheightandcreepagedistancearesuggestedtObe80percentlengthof210kNcapandpininsulators．Theexternalinsulationarrangementd

6、esigninmuchlightpollutionclassshouldbesameaslightpollutionclass．Forexampletthecompositeinsulatorcreepagedistanceis10880mmandspecificcreepagedistanceis43．1mm／kVinlightandmiddlepollutionclassaccordingtOtheprincipleofsamecreepagedistance-andcreepagedistanceis1390mmandspecificcreepagedistanceis45．

7、4mm／kVaccordingtOtheprincipleofsamestructureheight．Keywords：UHV；insulator；±800kVDC；transmissionline；pollution；externalinsulation0引言±800kV直流输电由于具有远距离、大容量和低损耗等优点已成为我国特高压输电工程发展方向。目前，我国已规划了多条±800kV直流输电工程口q]。污秽外绝缘设计直接与±800kV直流输电工程的技术经济可靠性相关，