电子技术第2章基本放大电路

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1、回顾：三极管的主要参数1.电流放大系数，直流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：和的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的值在20~200之间。例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)

2、9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大允许电流ICM5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数

3、值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许耗散功耗PCMPCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PCPCM=ICUCE硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEO判断因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。当温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即

4、导通，当加上反向电压时，它立即截止可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。5.如图用万用表测得电路中硅三极管的对地电位，则三极管处于截止状态。6.三极管并不是两个PN结的简单组合，它不能用两个二极管代替。7.下图中三极管处于放大工作状态，判断是NPN还是PNP.8V4V3.7V-4V2V1.7V思考题1．本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是_____,掺杂越多，则其数量____,相反，少数载流子应是________，掺杂越多，则数量_____。2．PN结空间电荷区又称为______区，再平衡条件下，电性显______

5、，因为在区内_________所带的电量相等。P区侧应带_______，N区应带______。空间电荷区内的电场称为_______，其方向从______指向_______。第2章基本放大电路2.1共发射极放大电路2.2图解分析法2.3微变等效电路2.4静态工作点稳定的放大器2.5射极输出器2.6阻容耦合多级放大电路2.7放大电路中的负反馈9放大的概念电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图。uiuoAu第2章基本放大电路基本放大电路的

6、组成三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理共射极放大电路放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。uiuo输入输出参考点RLRB+ECEBRCC1C2T++共射放大电路组成使发射结正偏，并提供适当的静态工作点IB和UBE。RB+ECEBRCC1C2TRL基极电源与基极电阻++静态：未加输入信号时放大器的工作状态。IBUBEIBUBEQ共射放大电路集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。RB+ECEBRCC1C2TRL++共射放大电路集电极电阻，将变化的电流转

7、变为变化的电压。RB+ECEBRCC1C2TRL++共射放大电路组成耦合电容：电解电容，有极性，大小为10F~50F作用：隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。RB+ECEBRCC1C2TRL++uiuo单电源供电可以省去RB+ECEBRCC1C2TRL++RB单电源供电+ECRCC1C2TRL++符号规定UA大写字母、大写下标，表示直流量。uA小写字母、大写下标，表示全量。ua小写字母、小写下标，表示交流分量。uAua全量交流分量tUA直流分量uA=UA+ua基本放大电路的工作原理RB+ECRCC1C2Tu

8、i=0时由于电源的存在IB0IC0ICIE=IB+ICRLIB无信号输入时静态工作点++基本放大电路的工作原理RB+ECRCC1C2TICUBEUCE(IC,UCE)(IB,UBE)RLIB静态工作点++(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对