电子元器件基础知识半导体

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1、电子元器件基础知识（半导体器件）2013年2月26日二极管二极管的导电特性：二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。1、正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为

2、0.7V），称为二极管的“正向压降”。2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管二极管二极管二极管的主要参数:1、额定正向工作电流：是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。2、最高反向工作电压：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失

3、去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。3、反向电流：反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。二极管二极管的应用:1、整流利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2、开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电

4、路。3、限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。5、检波二极管在收音机中起检波作用。6、变容二极管二极管半波整流电路二极管全波整流电路二、双极型晶体管双极型晶体管(芯片)双极型晶体管几乎所有晶体管都可以作为芯片元件买到(见图6-9和6-10)，包括饱和开关，通用的放大管，RF放大管和功率开关。使用没有外壳晶体管的缺点之一是没法事先进行全性能测试，将其分类。作为一个例子，

5、2N2222晶体管芯片来自2N型的大族。该大族全部使用相同的基本制造工艺。用筛选和测试分级为从商用等级到军用等级的部件。在混合电路使用没有封壳的芯片时，混合电路制造商必须依赖室温下圆片直流探针测试结果区分芯片的好坏，不能进行交流参数和动态参数测试.所以不能完全保证电性能。双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅材料

6、做的。下面是一些三极管的外型。大功率低频三极管中功率低频三极管小功率高频三极管晶体管的特性一、晶体管结构简介1.晶体管的两种结构一、晶体管结构简介1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成双极型晶体管(BJT)2.晶体管的三个区一、晶体管结构简介2.晶体管有三个区:N集电区NP基区e发射极b基极c集电极发射区管芯结构剖面图基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成以NPN型晶体管为例。双极型晶体管(BJ

7、T)发射极的电路符号一、晶体管结构简介基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成注意：发射极的符号带箭头。PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号2.晶体管有三个区:双极型晶体管(BJT)双极型晶体管(BJT)3.晶体管的两个PN结一、晶体管结构简介1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号NPN与PNP管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极

8、性和电流流向不同而已。2.晶体管有三个区:很显然，三极管有两个PN结，发射区与基区间的称为发射结，集电区与基区间的叫集电结。双极型晶体管