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1、手机常用电子元器件HUAYUWirelessElvisChen2014-7-71目录电阻/电容/电感二极管/三极管/场效应管保险丝晶体滤波器/声表滤波器/低通滤波器/双工器/巴伦耦合器/天线开关/功率放大器PALDO/DCDC/限流芯片/电压检测/电流检测PA供电IC/充电IC/模拟开关光距离传感器/加速度传感器/陀螺仪/电阻罗盘memory平台套片2电阻器(Resistor):定义:用导体制成具有一定阻值的元件.作用:主要职能就是阻碍电流流过分类:a.按阻值特性:固定、可调、特种(热敏电阻)b.按制造材料:碳膜、金属膜、线绕等c.按安装方式:插件、
2、贴片3电容器(capacitor):定义:由两金属电极夹一层绝缘介质构成的一种储能元件.作用:滤波、隔直流、射频匹配分类:a.按介质:有机薄膜、瓷介质、电解b.按安装方式:插件电阻、贴片电阻c.高频(小于100pf)高容(uF级别)4电容:不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类:COG/NPO:超稳定级I级(工类),温度性能最稳,基本上不随温度变化X7R:属稳定级II级,电气性能较稳定,温度从0°C变化为70°C时,电容容量的变化为±15%,常用于容量为3300pF~0.33uF的电容Y5V(Z5U):属能用级(Ⅲ),具有很高的介电常数,常用于生
3、产小体积,大容量的电容器,其容量随温度改变比较明显.5电感(inductor):定义:能产生电感作用的元件统称为电感(线圈)作用:阻交流通直流,阻高频通低频(滤波)分类:a.按结构:绕线、叠成b.按材质:空芯、铁氧体(陶瓷)、铁芯c.按功能:高频电感nH、功率电感uH6电感器结构的分类:7基本概念半导体:常温下导电性能介于导体与绝缘体之间,如硅Si,锗Ge(四价元素)掺杂:半导体掺入5价元素-->N型半导体(右图)掺入3价元素-->P型半导体PN结:P型和N型半导体做在一起,交界面即形成单向导电性:PN结具有单向导电性,即二极管二极管8二极管基本参数
4、:正向压降VF:能使二极管导通的正向最低电压最大反向电压VR:二极管长期正常工作时所允许的最高反压.若越过此值,PN结可能被击穿连续电流IF:长期正常工作时的最大正向电流反向电流IR:未击穿时反向电流值最高工作频率fm:若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现封装:SOD123<-------->1206SOD323<-------->0805SOD523<-------->0603SOD923<-------->0402其他如插件9二极管分类:普通二极管(如整流二极管)肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)稳压二
5、极管(反向工作,典型稳压值)发光发射管瞬变电压抑制二极管:TVS管10三极管:半导体三极管:也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,由两个PN结形成,是一种电流控制电流的半导体器件.11三极管的分类:a.按材质分:硅管、锗管b.按结构分:NPN、PNPc.按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.12三极管的主要参数:a.特征频率fT:当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b.工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c.hFE:电流放大倍数.d.VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表
6、示临界饱和时的饱和电压.e.PCM:最大允许耗散功率.f.封装形式:SOT23,SOT32313场效应管场效应晶体管(MOSFET):简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.NMOS右图/PMOS特点:具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.14场效应管的分类:场效应管分:结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:绝缘栅(MOS)型:分N沟道和P沟道两种.封装:SOT23,SOT32315
7、场效应管的主要参数Idss—饱和漏源电流.是指栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up—夹断电压.是指使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut—开启电压.使漏源间刚导通时的栅极电压.gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.PDSM—最大耗散功率,是指允许的最大漏源耗散功率.IDSM—最大工作电流.指正常工作漏源间所允许的最大电流16保险丝:概念:具有过流保护作用的电子装置,通过自身熔断而切断电路或自身发热
8、使其电阻急剧升高分类:保险丝管;可恢复保险丝;熔断电阻器;按结构可分为:无引线式和引线焊接式.按熔断时间可分