传感器原理-速度传感器磁电霍尔

《传感器原理-速度传感器磁电霍尔》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、速度测量概述1、转速测量中主要考虑的问题1）被测物体运动的速度范围超低速(0.10～2.00r/min)低速(0.5～500r/min)中高速(20～20000r/min)高速(500～200000r/min)超高速(500～600000r/min)全速(0.10～600000r/min)适用的测速传感器较多2）被测物体可测点几何形状例：光轴、齿轮、叶片、带孔、带槽、带销、微型电机3）环境条件4）动态/静态时的显示、记录、控制5）误差、响应时间、输出控制形式2、转速测量的分类及实现方案根据传感器安装方式：1接触式2非接触式根据传感器不同：1磁电2光电3霍尔4磁敏传感器测量范围（kHz）感应对

2、象检测距离（mm）应用场合磁敏传感器0～10铁、电工钢0.5～1.5速度、位移磁电传感器50～5000电工钢0.5～1速度霍尔传感器0～10磁铁1～5速度、位移光电传感器0～10自然光、红外光1～15速度、位移接近开关0～200Hz金属1～5速度、位移3、转速测量电路1）转速测量仪的基本组成：2）转速测量基本方法定数采样：这种方法其实是测量单个脉冲的周期或指定个数脉冲的总周期。这种测量脉冲的方法又叫做测周法。定时采样。这种方法其实是测量单位时间的脉冲个数。这种测量脉冲的方法又叫做测频法。频率→电压转换(f/V)频率→转速N=f/分频数4、转速传感器的选择原则①测量环境④价格②测量范围⑤可靠性

3、③系统功耗单位r/minr/s一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理在半导体薄片中通以电流I,在与薄片垂直方向加磁场B，则在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控制电流I和B乘积成正比的电动势，这种现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势，该薄片称为霍尔元件。1、霍尔效应2、霍尔电势UH＝KHIB单位磁感应强度和单位控制电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。单位是mV/（mA·T）意义：与材料的物理性质和几何尺寸有关，决定霍尔电势的强弱。若磁感应强度B的方向与霍尔元件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为：VH＝KHIBcosθ霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。霍尔电压UH为：式中n——半导体单位体积

4、中的载流子数e——电子电量KH——霍尔元件灵敏度，KH＝1/ned霍尔器件符号HABCDABCDBACDC、D：霍耳输出端，称为霍尔端或输出端。A、B：电极端，称为元件电流端、控制电流端或输入电流端。红色导线红色导线绿色导线绿色导线一般为4mm×2mm×0.1mm二．材料及结构特点霍尔元件一般采用具有N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。1.锑化铟元件的输出较大，但受温度的影响也较大。2.锗元件的输出虽小，但它的温度性能和线性度却比较好。3.砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大，但是受温度的影响却比锑化铟的要小，而且线性度也较好。采用砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用。特点小结材料：

5、锗、硅、砷化镓、砷化铟、锑化铟灵敏度低、温度特性及线性度好灵敏度最高、受温度影响大输入1输入2输出1输出2磁性顶端引线衬底霍尔元件溅射工艺制作的锑化铟霍尔元件霍尔元件的主要特性参数：(1)输入电阻和输出电阻输入电阻：控制电极间的电阻输出电阻：霍尔电极之间的电阻(2)额定控制电流和最大允许控制电流额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在空气中产生10℃温升时，对应的控制电流值最大允许控制电流：以元件允许的最大温升限制所对应的控制电流值(3)不等位电势Uo和不等位电阻ro不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。不等位电势是由霍尔电极2和

6、之间的电阻决定的，r0称不等位电阻霍尔元件的主要技术指标四、霍尔元件连接方式和输出电路1、基本测量电路特点：（1）测量磁物理量、电量及其它物理量（2）实现乘法运算，构成各种非线性运算部件（3）输出信号的信噪比大（4）频率范围宽：直流~数百千赫兹（5）体积小、重量轻（6）稳定性好、寿命长2、霍尔元件连接方式控制电流端并联输出电势为：2倍控制电流端串联次级绕阻叠加输出E++++++++++----------直流供电方式：~交流供电方式：3、霍尔电势的输出电路四端器件输出电势：mV量级线性应用：比例放大器线性度好、低噪声放大器开关应用：射极跟随器灵敏度高：一般放大器五、霍尔元件的测量误差及补偿方

7、法1、零位误差及补偿半导体固有特性半导体制造工艺缺陷零位误差温度误差A、B同一等位面：U0=0、电桥平衡A、B非同一等位面：U0=0、电桥不平衡电桥补偿原理：在阻值较大的桥臂上并联电阻（a）（b）（c）六、霍尔开关集成传感器霍尔效应集成电路技术开关信号磁敏传感器集成霍尔元件和开关型两大类可分为线性型1、结构及工作原理稳压材料：硅工艺：硅平面工艺提高灵敏度N型硅外延层很薄集成工艺工作原理：有磁场：VH，放大，整