河北科技大学高频电子线路考试范围

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1、Chap0绪论1.微电子器件工艺的发展分哪三个阶段2.集成电路的制造可以分成三个阶段3.人们通常以最小线宽（或称特征尺寸）、硅晶圆片的直径和动态随机存储器的容量，来评价集成电路制造工艺的发展水平。Chap1硅的晶体结构2.金刚石结构特点3.面心立方晶体结构是立方密堆积，（111）面是密排面。6.晶体中的缺陷有几种7.固溶体，固溶度8.按溶质在溶剂中存在形式固溶体分为Chap2氧化1.SiO2结构：Si-O四面体2.SiO2膜用途3.按杂质在二氧化硅网络中所处的位置可以分类哪两类？5.热氧化二氧化

2、硅制备方法，厚膜制备方法？6.热氧化经历步骤7.热氧化过程中的扩散控制和表面化学方应控制8.氧化时间与氧化速率的关系9.决定氧化速率常数及它们和氧化速率的关系：氧化剂分压——线性关系温度——指数关系12.分凝现象，分凝系数13.杂质再分布的四种可能：图Chap33.杂质在硅晶体中的扩散机构主要有哪两种？5.菲克第一定律认为，如果在有限的基体中存在杂质浓度梯度，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向是使杂质浓度梯度变小。6.扩散方式有哪两种？7.什么是恒定表面源扩散，有限表面源扩散，各自杂质分

3、布形式的特点？8.什么是两步扩散？各步方式和目的？10.什么是发射区推进效应，氧化增强扩散15.什么是扩散的均匀性和重复性？Chap4离子注入工艺3.LSS理论:注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程:4.核碰撞和电子碰撞5.沟道注入6.轻离子，重离子注入损伤区的分布7.热退火Chap5物理气相沉积1.PVD概念，分类；5.溅射概念，其基础是什么；Chap6化学气相淀积1.化学气相淀积定义2.CVD的基本过程(包括5个步骤,满足7个条件)3.边界层4.Grove模型认为制薄膜淀积速率的两

4、个环节是什么5.CVD薄膜淀积速率与温度以及气体流速的关系9.气缺现象，Chap7外延4.外延薄膜的生长模型5.影响外延生长速率的主要因素6.扩散效应，自掺杂效应7.低压外延作用Chap8光刻工艺2.光刻的目的3.光刻三要素4.光刻的原理5.光刻工艺流程（各个步骤定义、目的及方法）10.抗反射涂层工艺定义，作用14.邻近效应16.湿法刻蚀,干法刻蚀，各自特点17.干法刻蚀分类，各自原理第九章金属化与多层互连4.AL/Si接触中的尖楔现象5.电迁移现象7.金属Cu的淀积技术8.多晶硅栅具有什么特性

5、10.平坦化方法，目前普遍采用的一种局部平坦化技术和全面平坦化的技术是Chap10工艺集成，Chap11后工艺，Chap12器件的可靠性测试2.ＭＯＳ集成电路中的隔离3.双极型集成电路中的隔离4.双阱ＣＭＯＳ　ＩＣ工艺流程5.标准埋层双极集成电路工艺流程6.主要的后工艺及其目的7.器件的可靠性包括哪两个方面8.研究可靠性目的