GBT14139-1993 硅外延片.pdf

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1、669-782UHD8C1疡黔中华人民共和国国家标准Gs/T14139一93吞﹄t2卜硅.延片Siliconepitaxialwafers1993一02一06发布1993一10一01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准GB/T14139一93硅外延片Siliconepitaxialwafers主题内容与适用范围本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方一法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层(N/N`，和在P型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/PI)

2、的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件‘弓1用标准GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB12962硅单晶GB12964硅单晶抛光片GB/T13389掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程GB/T14142硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法GB/T14145硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T14264半导体材料术语YS/T23硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS,"T24外延钉缺

3、陷的检测方法YS/T28硅片包装产品分类3-，导电类刑产品按导电类型分为N型和P型.3-2规格产品按直径尺寸分为(50.8mm,76.2mm,80mm,90mm和100mm,3.3外延片晶向产品按晶向分为<111>,<100>等。3.4产品牌号产品牌号表示为:国家技术监.局1993一02一06批准1993一10一01实施GB/T14139一93MSi一XXEWOXX丁可直径尺寸晶向外延片导电类型、结构·硅单晶材料示例:MSi-N/N十一EW<111>价76.2表示N/N'结构<111>晶向直径为76.2

4、mm的硅外延层。技术要求外延片衬底参数硅单晶衬底的电阻率应符合表1的规定，其他各项参数应符合GB12962的规定。表1硅单晶衬底的电阻率电阻率，n·cm导电类型掺杂元素硅单晶直径,mm不大于镇50.80.012Sb76.20.01580,90,1000.02N(50.80.009As76.20.0180,90,1000.015簇50.80.009PB76.20.0180,90,1000.0154.2衬底晶向硅单晶抛光片衬底的晶向、几何尺寸等参数应符合GB12964的规定。4.3外延层电阻率4.3.1N型外延层掺杂

5、元素为磷,P型外延层掺杂元素为硼。4.3.2外延层中心电阻率及其允许偏差应符合表2的规定。表2外延层中心电阻率及其允许偏差中心电阻率,n·cm允许偏差,%0.5-3士18>3-10士20>10-20士25GB/T14139一93续表2中心电阻率，。·cm允许偏差，%>20-50士30>50-100士353.3外延层径向电阻率变化应符合表3的规定.表3外延层径向电阻率变化中心电阻率,I"cm径向电阻率变化RV,%J毛3(10>3簇15I玛一P,I表中RV(%)二X100⋯.”⋯’”.”’””。⋯(1)P,式中:IP

6、z-P,}一平行和垂直于主参考面二条直径的r/2处(r为半径)四个电阻率测量值Pz中与P,值之差的最大值;P<—中心处的电阻率测量值.4-4外延层厚度4.4.1外延层厚度及其允许偏差应符合表4的规定。表4外延层厚度及其允许偏差中心厚度，f.m厚度允许偏差，%5^-50士104.4.2外延层径向厚度变化应符合表5的规定。表5外延层径向厚度变化中心厚度，dam径向厚度变化TV,%5-50(6ITi一T,I表中TV(%)二X100.·⋯“’..····⋯⋯(2)T,式中:ITS-T,}一平行和垂直于主参考面二条直径的r

7、/2处(二为半径)四个厚度测量值几中与T,值之差的最大值;T,—中心处厚度测量值。4.5外延层缺陷4.5.1外延层位错密度不大于3000cm-=.GB/T14139一93‘︺外延层堆垛层错密度不大于50cm叹︺外延层表面缺陷限度户﹄曰缺陷限度应符合表6的规定。表6外延层表面缺陷限度17号缺陷名称外延片直径，mm缺陷限度}蕊76.25条总长提直径l滑移线80,90,10010条总长镇2倍直径外延层厚度,fLm(15>15-25>25点状缺陷个数成50.86,7,1076.210,12,1580,90,10020,2

8、2,25廷E0.83凹坑个数76.24口，80,90,100J}突起不得超过十外延层厚度l冠状边缘