线锯切技术发展状况

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1、第25卷第2期超硬材料工程Vo1.252013年4月SUPERHARDMATERIALENGINEERINGApr.2013线锯切技术发展状况①谈耀麟(中国有色桂林矿产地质研究院有限公司,广西桂林541004)摘要:回顾线锯切技术发展的历史背景。分析了在半导体工业中锯切硅晶锭使用的超薄金刚石内圆锯片的优缺点。阐述游离磨料线锯的产生及其与超薄金刚石内圆锯片的性能对比以及游离磨料线锯在使用中的局限性。文章还介绍了固结磨料线锯中磨料的一些固结方式,并详细阐述"3-前先进的树脂粘结金刚石线锯和电镀金刚石线锯以及浸渍金刚石线锯的技术规格和技术性能。关键词:线锯切技术;游离磨料线锯;树脂粘结金刚石线

2、锯;电镀金刚石线锯;浸渍金刚石线锯;发展;技术规格中图分类号:TQ164文献标识码:A文章编号:1673—1433(2013)O2—0044-05State-of-the-artsofwiresawingtechnologyTANYao—lin(ChinaNonferrousMetal(Guilin)GeologyandMiningCo.,Ltd..C-uilin541004,China)Abstract.Historicalbackgroundofwiresawingtechnologydevelopmentwasreviewd.Advantagesanddisadvantagesof

3、ulrta-thindiamondannularsawbladeusedforcuttingsiliconingotsinsemiconductorindustrywereanalysed.Theemergenceoflooseabrasivewiresawandtheperformancecomparisonbetweenitandultra-thindiamondannularsaw—blade,alongwithitslimitationinapplicationsweredescribed.Asforthefixedabrasivewiresawsomefixationmetho

4、dsoftheabrasiveparticleswereintroducedinthispaper-andthetechnica1performanceandtechnicalspecificationsoftheadvancedresinoiddia—mondwiresaw,electroplateddiamondwiresawanddiamond-impregnatedwiresawwerealsodescribedindetail.Keywords:wiresawingtechnology;looseabrasivewiresaw;resinoiddiamondwiresaw;el

5、ectroplateddiamondwiresaw;diamond—impregnatedwiresaw;development;technicalspecification上世纪中叶,单晶硅作为半导体生产的基础材料使用超薄金刚石圆锯片和超薄金刚石内圆锯片。直伴随着半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制到上世纪9O年代,随着电子工业的迅速发展,国际上成功引发了电子工业革命。当初硅晶锭的锯切主要为了解决大尺寸硅晶片的切割问题逐渐采用了钱锯①收稿日期:2013—04一lO作者简介:谈耀膦(1936一),男,高级工程师,长期从事超硬材料科研和情报方面的工作。44切技术。线锯切技术起初用的是游离

6、磨料线锯,嗣后2游离磨料线锯才发展了固结磨料线锯。为了克服超薄金刚石内圆锯片的缺点,各国研制超薄金刚石内圆锯片半导体与太阳能的大公司相继致力于线锯切技术的研究。上世纪8O年代瑞士HCTShapingSystem首上世纪6O年代,在大规模半导体的生产链中,硅先研制出用于光伏电池生产行业锯切硅晶片的锯床。晶片的锯切成了发展生产的瓶颈。为了减少切缝损其基本原理是以运动着的细金属线带动含有磨料的耗,超薄金刚石内圆锯片逐渐取代了普通的薄型金刚悬浮液而产生锯切作用。金属的运动速度在5~石圆锯片,当时最先进的超薄金刚石内圆锯片的内径25m/see之间,以碳化硅为磨料,由于这项技术的采为203mm,外径

7、为558mm,可同时切割两个直径为用使光伏电池硅晶片的厚度从330/~m减到了18O~75mm的硅晶锭,锯片基体厚度仅为0.1mm,以电镀220gm。最初使用的高强度细钢线的直径为160~方法固结325/400目的天然金刚石,锯缝宽度仅为180/~m,为了尽可能降低切缝损耗,目前这一直径已0.22mm[¨。降至12O~140btm[2]。该技术后来即被称为游离磨直到上世纪末,大直径超薄金刚石内圆锯片的切料线锯切割。缝损耗可减少到30

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