扩散前的表面处理1

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1、硅片扩散前的表面准备2003年7月2目录化学清洗用主要设备的操作规程（清洗机，甩干机）概述化学腐蚀液的配制工艺过程和工艺条件（操作示范）各化学清洗液的浓度检测，调整注意事项3概述形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的：4概述：硅片表面的机械损伤层（一）硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅5概述：硅片表面的机械损伤层（二）多线切割6概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层硅片机械损伤层（10微米）7概述：金属杂质对电池性能的影响8概述：表面织构化单晶硅片表

2、面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率9化学腐蚀液的配制多晶硅片的清洗腐蚀九槽清洗机123456789溶液组成300克/升NaOH80℃纯水纯水纯水40克/升HF纯水65克/升HCl纯水纯水喷淋作用清除表面油污,去除机械损伤层清洗硅片表面残留NaOH清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层清洗硅片表面残留HF清除硅片表面金属杂质清洗硅片表面残留HCl充分洁净硅片表面注：纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水10化学腐蚀液的配制单晶硅片的清洗和制绒九槽清洗机超声波清洗单晶硅片的表面油污比较严重，需要在60℃清洗剂的水

3、溶液中，利用超声波震荡清洗15分钟。123456789溶液组成100克/升NaOH80℃纯水20克/升NaOH&酒精80℃纯水40克/升HF纯水65克/升HCl纯水纯水喷淋作用清除表面油污,去除机械损伤层清洗硅片表面残留NaOH在硅片表面形成类“金字塔“状绒面清洗硅片表面残留制绒液清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层清洗硅片表面残留HF清除硅片表面金属杂质清洗硅片表面残留HCl充分洁净硅片表面11化学腐蚀的原理热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层：HF去除硅片表面氧化层：HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具

4、有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。12工艺过程与工艺条件123456789多晶651553838单晶5125553838各槽设定时间（分钟）注：单晶硅制绒过程中，3号槽须用盖子密封，减少乙醇的挥发。13清洗液浓度的检测与调整滴定管的使用以及滴定技术滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一

5、玻璃球，以控制溶液的流出速度。14清洗液浓度的检测与调整（一）氢氧化钠（NaOH）浓度的检测NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH：MHCl×VHCl其中MHCl已知，VNaOH=10毫升，VHCl通过测量可知，则未知的氢氧化钠溶液浓度MNaOH可以由计算得到。MNaOH=0.11×MHCl×VHCl（克/升）15清洗液浓度的检测与调整（二）盐酸（HCl）浓度的检测NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH：MHCl×VHCl其中MNaOH已知为80克/

6、升，VHCl=10毫升，VNaOH通过测量可知，则未知的盐酸溶液浓度MHCl可以由计算得到。MHCl=7.3×VNaOH16清洗液浓度的检测与调整（三）氢氟酸（HF）浓度的检测NaOH+HF=NaF+H2O40：20MNaOH×VNaOH：MHF×VHF其中MNaOH=80克/升，VHF=10ml，VNaOH通过测量可知，则未知的氢氟酸溶液浓度MHF可以由计算得到。MHF=4×VNaOH（克/升）17清洗液的组成和更换1号槽氢氧化钠（NaOH）5号槽氢氟酸（HF）7号槽盐酸（HCl）去除磷硅玻璃氢氟酸（HF）标准

7、浓度300克/升40克/升65克/升21克/升允许范围280~330克/升30~45克/升55~70克/升15~25克/升检测周期8小时8小时8小时8小时更换频率每清洗15000片硅片，更换3/4；整体更换：每周一次。每30000片硅片，溶液整体更换每清洗30000片硅片，溶液整体更换每清洗30000片硅片，溶液整体更换18清洗液的组成和更换（续）1号槽氢氧化钠（NaOH）5号槽氢氟酸（HF）7号槽盐酸（HCl）去除磷硅玻璃氢氟酸（HF）更换溶液时加入试剂量整体更换：82瓶更换3/4：62瓶25瓶40瓶13瓶槽的

8、尺寸底面积：39dm2槽深：4.7dm溶液深：3.5dm底面积：39dm2溶液深：3.5dm底面积：39dm2溶液深：3.5dm底面积：39dm2溶液深：3.5dm备注125硅片每300片加入1瓶；103硅片每500片加入1瓶19注意事项安全NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服