微电子42014微电子器件基础58章要求掌握的重点

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1、非平衡载流子注入探针注入小注入、大注入非平衡载流子浓度非平衡载流子寿命（少子寿命、寿命）准费米能级（电子准费米能级、空穴准费米能级）直接复合间接复合表面复合俄歇复合最有效复合中心陷阱效应载流子扩散连续性方程一概念第五章非平衡载流子（非平衡半导体）最有效复合中心能级示意图间接复合能带示意图俄歇复合能带示意图非平衡半导体能带图有效陷阱的能带示意图二图三论述表面复合对半导体载流子寿命的影响金在硅半导体中的有效复合中心作用连续性方程中每一项的物理意义四关系式非平衡半导体价带空穴浓度非平衡半导体导带电子浓度净复合

2、率用准费米能级表示的非平衡半导体载流子浓度，间接复合净复合率扩散电流密度漂移电流密度空穴电流密度电子电流密度半导体总电流密度爱因斯坦关系式空穴连续性方程电子连续性方程第六章PN结突变结单边突变结线性缓变结结深扩散结平衡PN结PN结空间电荷区PN结接触电势差PN结势垒高度PN结势垒宽度耗尽层近似一概念12PN结正偏13PN结反偏14势垒电容15扩散电容16PN结雪崩击穿17PN结隧道击穿18热击穿19隧道结20隧道二极管峰值电流、峰值电压21隧道二极管谷值电流、谷值电压22隧道二极管过量电流；平衡PN结能

3、带图正向偏压下，PN结能带图PN结电流-电压关系曲线突变PN结中电场分布图隧道二极管电流-电压关系曲线二图三论述平衡PN结的形成平衡PN结的性质PN结势垒电容是如何形成的？势垒电容与杂质浓度和杂质分布的关系？PN结扩散电容是如何形成的？用能带图说明隧道二极管电流-电压关系的对应机理雪崩击穿电压的温度特性及解释突变结泊松方程突变结空间电荷区宽度、电场强度、最大电场强度、电位求解突变结势垒电容求解四关系式、推导题第七章MS接触半导体功函数电子亲和能金属-半导体功函数差金属-半导体接触电势差半导体表面空间电荷

4、区电子阻挡层电子反阻挡层表面势垒高度表面势垒宽度半导体表面势一概念11表面态12钉扎效应13施主型表面态14受主型表面态15表面中性能级16表面态密度17理想欧姆接触18接触电阻19高低结20肖特基势垒二极管金属-半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图金属-半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图二图三论述扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释热电子发射理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释形成金属与半导体

5、欧姆接触的基本原理和手段肖特基势垒二极管的主要特点四关系式、推导半导体功函数计算按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率理想半导体表面半导体表面态表面悬挂键表面能级表面能带理想MIS结构半导体表面电场效应表面堆积表面平带表面耗尽表面本征第八章半导体表面与MIS结构一概念12表面弱反型13表面临界强反型14表面强反型15表面深耗尽16临界强反型17半导体表面最大耗尽层宽度18反型层19费米势20场感应结21表面空间电荷区、表面空间电荷区宽度22表面势23表

6、面电场MIS结构图（包括半导体为P型、N型两种）MIS结构中，半导体表面耗尽状态下的能带图MIS结构中，半导体表面临界强反型状态下的能带图MIS结构半导体表面中的泊松方程耗尽状态下的表面势、耗尽层宽度临界强反型状态下的表面势、耗尽层宽度费米势计算式二图三论述在MIS结构中，影响半导体表面出现强反型状态的因素分析四关系式