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1、万方数据浅谈蚀刻因子的计算方法田玲李志东(广州市兴森电子有限公司,广东广州510730)摘要文章针对业内不同蚀刻因子的计算方法做了较详尽的分析,并结合试验验证进而提出对蚀刻因子计算方法的一点看法,对于蚀刻因子的正确运用有一定的参考价值。关键词蚀刻因子;计算方法;侧蚀中图分类号:TN41文献标识码:A文章编号:1009一0096(2007)12一0055一02DiscussioninMethodofEtchFactorCalculationTiaIlLingLi2抽dongAbStraCtTtlispaperaimsatt11epmbl
2、emofsomediff日entetchfactor’8calcllladonalmemodi11日1ePCBir-dust呵,viaaseriesoftrialaJldtheanalysisofMicmsecdon。someopillionofcalculationalmetllodwasbroughtfonvord.AnditwillbesoInesigIlificaIlcetomaketlleetchfatormuchmoreexenion.KevwordsetchfactOr:caJcuIa“onaImethod:underc
3、utf)前言众所周知,PCB导线是通过化学蚀刻而形成的。由于蚀刻液是从露铜表面开始向内部(或下面)逐步进行蚀刻的,所以向内部(下面)垂直蚀刻的同时,也向侧面铜箔进行水平蚀刻,形成所谓的蚀刻侧蚀现象。为了定量比较蚀刻线的蚀刻质量(侧蚀大小),我们定义了蚀刻因子,用其作为定量衡量蚀刻质量和蚀刻线蚀刻能力的指标。然而,对于蚀刻因子的实际计算却一直存在多种理解,本文在理论与试验相结合的基础上,对蚀刻因子的不同计算方法进行了探讨,并提出了对蚀刻因子计算方法的一点看法。1蚀刻因子计算方法11.1计算公式方法1是部分人对蚀刻因子的理解结果,计算方法
4、是以蚀刻过程完成后蚀刻线的上线宽和下线宽为计算依据的,具体计算公式如下(图1):蚀刻因子一蚀刻线厚,【(下线宽一上线宽),2】图1蚀刻因子计算方法11.2计算方法分析由于设备和操作等因素的影响,蚀刻过程通常会呈现三种可能状态:蚀刻不足、正常蚀刻和过度蚀刻(图2)。正常蚀刻状态(理想状态)是指蚀刻后蚀刻下线宽与蚀刻抗蚀层宽度相等的状态,此时按方法l公式计算出的蚀刻因子为理想蚀刻因子,可Printedc.rcu_t
5、nformation印制电路信息2007No.12⋯⋯⋯万方数据:⋯⋯⋯Su—:aCeFjnish⋯⋯·⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯
6、⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯以真实反映蚀刻线的蚀刻能力。但是,对于我们实际蚀刻过程中经常出现蚀刻不足或过度蚀刻(过蚀较常见,以此为例),如仍使用方法l计算就会造成蚀刻因子的计算偏差。分析偏差原因可知:从蚀刻到露基材起,蚀刻线路后续形成过程中,由于线路上表面有抗蚀层的保护,不易受药水侵蚀,药水交换不好,所以蚀刻反应速率比较慢;而线路下表面与药水充分接触,交换很好,所以蚀刻反应速率比较快。随着蚀刻的进行,上下线宽之间的线宽差异(下线宽一上线宽)慢慢缩小,在过蚀情况下,如果仍然使用方法l的公式计算,相当于减小了上下线宽之差,也就等同于“提高”了
7、蚀刻因子。而且过蚀越严重,上下线宽差异就越小,以致“蚀刻因子”也就越大。图2蚀刻的三种状态本文试验分析了不同铜厚板(0.50z、10z、20z)蚀刻后的蚀刻因子。使用方法1计算,试验结果显示:过蚀越多,蚀刻因子越大。对于正常蚀刻的0.50z薄铜板计算蚀刻因子为2.5,而过度蚀刻的厚铜板(1oz和20z)蚀刻因子高达5.6和6.0,差异很大,这与业界经验:蚀刻因子一般在24之间(参见《高密度封装基板》)相悖;同时,如果此结论成立,反推过来,提高蚀刻线能力(得到大的蚀刻因子)只需严重过蚀即可,这不符合常理,所以方法1存在很大的局限性,只能
8、用于正常蚀刻状态。2蚀刻因子计算方法22.1PC标准概念(IPC一600G)蚀刻因子是指垂直蚀刻深度与横向侧蚀宽度(侧蚀量)两者之问的比值(如图3(1))。侧蚀是指导线每侧平行板面的最外缘(含抗蚀层)与导线内缩后的最内缘对比时两缘之空问距离。2.2计算方法分析在IPC标准概念的理解基础上,计算方法2的公式应为:蚀刻因子=蚀刻线厚/[(抗蚀层宽度一最窄线宽)/2】。结合文献资料可知:使用方法2计算蚀刻因子涵盖了蚀刻过程的三种状态是:过度蚀刻、正常蚀刻和;⋯⋯..PrintedCircuitlnformation印制电路信息2007No.
9、12蚀刻不足。IPc标准中蚀刻因子的计算示图显示的是轻微过度蚀刻时的状态;《高密度封装基板》中蚀刻因子的计算示图显示的是正常蚀刻的状态;而《现代印制电路原理与工艺》对于蚀刻因子的计算示图显示的是轻微蚀刻不足的状态(图3)
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