半导体工艺流程

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1、中山大学南方学院马渊博mayb1314@foxmail.com思考题：1.为什么要反复使用光刻胶？2.P+有源区注入的掩膜版和N+有源区注入的掩膜版有什么关系？3.为什么要先制作多晶硅再制作P+有源区？InnovationinMotion高温、提炼、分离沙子高温、提拉切割、抛光多晶硅块单晶硅棒晶圆外延生长、离子注入、薄膜沉淀、InnovationinMotion光刻3主要的三项工艺：薄膜制备工艺、光刻（图形转移）工艺、掺杂工艺薄膜制备工艺：该工艺通过生长或淀积生成集成电路制造过程的各种材料的薄膜，如器件工作区的外延层，遮

2、掩膜，绝缘介质膜，金属层等。有间接生长和直接生长两种方法。图形转移工艺：包括光刻胶，掩膜版，曝光（光刻）和刻蚀。电路结构以图形的形式制作在光刻掩膜版上。然后通过图形转换工艺转移精确转移到硅晶片上。掺杂工艺：主要有热扩散工艺和离子注入工艺两种。各种杂质按照设计要求掺杂到晶圆上，形成晶体管的源漏端以及欧姆接触等。InnovationinMotion4物理层（Physicallayers）：nwell,pwell,active(DIFF),poly,P+,N+,contact；金属层（Metallayersforconne

3、ction）：M1toM6,VIA1toVIA5例，一个5V的NMOS/PMOS管，包括连接，一共需要20层左右。InnovationinMotion5InnovationinMotion6?+?+?+N-well/N阱P-sub曝光光刻胶SiO2+Si3N4P-subN阱光刻，注入，推进刻蚀（化学试剂或是等离子）光刻胶SiO2+Si3N4P-sub注：通过旋转圆片在其上均匀涂抹一层1um厚的光明聚合物，这种材质原本溶于有机物，但是在曝光之后不再溶于有机物，称为负胶。正胶正好相反。N阱光刻，注入，推进刻蚀（化学试剂或是等离子

4、）光刻胶(负胶)SiO2+Si3N4P-sub注：通过旋转圆片在其上均匀涂抹一层1um厚的光明聚合物，这种材质原本溶于有机物，但是在曝光之后不再溶于有机物，称为负胶。正胶正好相反。N阱光刻，注入，推进N阱注入，推进N-wellP-subN阱光刻，注入，推进曝光光刻胶SiO2N-wellP-sub场区氧化光刻胶光刻胶SiO2N-wellP-sub场区氧化光刻胶多晶硅SiO2N-wellP-sub多晶硅SiO2N-wellP-sub多晶硅SiO2N-wellP-sub多晶硅光刻胶SiO2N-wellP-subP+有源区注入P+注

5、入光刻胶光刻胶SiO2N-wellP-subP+有源区注入光刻胶SiO2P+P+N-wellP-subN+有源区注入光刻胶SiO2P+P+N-wellP-subN+有源区注入光刻胶SiO2N+P+P+N-wellP-subN+P+P+N-wellP-sub氧化层涂光刻胶（负胶和正胶）光刻机曝光光刻胶的显影和烘干酸刻蚀旋转，清洗和干燥工艺加工步骤（扩散，离子注入，淀积，刻蚀，平面化）去除光刻胶（即沙洗）InnovationinMotion23InnovationinMotion25Poly_Resistor，

6、ndiff_Resistor，sdnw_Resistor,Metal_ResistorInnovationinMotion26nPoly-sdnwCapacitor,MIMCapacitorInnovationinMotion27水平型垂直型InnovationinMotion28InnovationinMotion29电阻MOSEFT电容BJTInnovationinMotion