模拟电子技术基础试卷2

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1、院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________………………………密…………………………封…………………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷2题号一二三四总分得分得分评卷人一、填空题（每空1分，共20分）得分评卷人1．在本征半导体中加入价元素可形成P型半导体。2．PN结最主要的特性是。3．如图1所示，设二极管导通电压＝0.7V，则电路的输出电压值为。4．某个三极管工作在线性放大区，当，测得;当时，。则

2、电流放大系数＝，反向饱和电流=。5．场效应管的三个工作区域为，，。6．现测得放大电路中这只管子两个电极的电流如图2所示。则另一电极的电流为，并在图2中标出其实际方向；在圆圈中画出管子的类型。7．对共射放大电路来说，发生在输出信号正半周期的失真是，发生在输出信号负半周期的失真是。8．集成运放输入级均采用放大电路。9．如图3示，这是一个级放大电路。假设各级均为共射电路，那么电压放大倍数。10．由理想运放构成的运算电路如图4示，=0.1V，=0.45V，则输出电压=。11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。12．在乙类功率放大器中，由于三极管的死区电压造

3、成的失真称为。13．电压比较器中的集成运放工作在区。图1图2图34卷2第页共4页院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________………………………密…………………………封…………………………线…………………………图4图5得分评卷人二、选择题（每题只有一个正确答案，将答案填在横线上。每题2分，共20分）1．PN结加正向电压时，耗尽层将。A．变窄B．基本不变C．变宽D．不确定2．当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为

4、。A．前者正偏、后者正偏B．前者正偏、后者反偏C．前者反偏、后者正偏D．前者反偏、后者反偏3．如图5所示，这个管子的类型和材料为。A．PNP硅管B．PNP锗管C．NPN硅管D．NPN锗管4．不是直接耦合放大电路产生零点漂移的原因。A.元件的老化B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定5．差分放大电路输入信号为，那么共模信号和差模信号分别为。A.B.C.D.6．欲将矩形波转换成三角波，应选用电路。A.微分运算电路B.积分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器7．一阶RC高通电路的最大相移是。A．B．C．D．8．若要降低某放大器的输入电阻和输

5、出电阻，可加入下列负反馈。A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联9．正弦波振荡电路的起振条件是。A．B．C．D．10．互补OCL功率放大电路的工作状态是，理想情况下的效率是。A．甲类，B．甲乙类，C．甲类，D．乙类，得分评卷人三、判断题（对的打√，错的打×。每题1分，总计10分）1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）2．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）3．三极管的集电级电流是由三极管产生的。（）4卷2第页共4页院系_________________专业________________班级______________

6、___________姓名_______________学号______________………………………密…………………………封…………………………线…………………………4．现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－110，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数一定为12100。（）5．为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。（）6．电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（）7．运放的共模抑制比。（）8．RC正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC正弦波振荡电路的振荡频率较高。（）9．在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反馈。（）

7、10．整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（）得分评卷人四、计算题（共4题，总计50分）1．（10分）如图6所示，电路中稳压二极管的稳定电压，最小稳定电流，最大稳定电流。分别计算为和两种情况下输出电压的值。图62．（15分）如图7所示，已知,，,，,，。（1）计算静态工作点Q；（2）求解,和（画出交流等效图）。图74卷2第页共4页院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________………………………密……………………

8、……封…………………………线……………