Diva验证工具使用说明：

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1、Diva验证工具使用说明：按照排出所需的掩模版图，然后就可以在Cadence环境下用Virtuoso这个工具来进行版图编辑。版图编辑要根据一定的设计规则来进行，也就是要通过DRC（DesignRuleChecker）检查。编辑好的版图通过了设计规则的检查后，有可能还有错误，这些错误不是由于违反了设计规则，而是可能与实际线路图不一致。版图中少连了一根铝线这样的小毛病对整个芯片来说是致命的，所以编辑好的版图还要通过LVS（LayoutVersusSchematic）验证。同时，编辑好的版图通过寄生参数提取程序来提取出电路的寄生参数，电路仿真程序可以调用这个数据来进行后模

2、拟。下面的框图可以更好的理解这个流程。图1IC后端工作流程验证工具有很多，我们采用的是Cadence环境下的验证工具集DIVA，下面介绍DIVA验证文件的编辑和验证工具的应用。DIVA是Cadence软件中的验证工具集，用它可以找出并纠正设计中的错误。Diva可以处理物理版图和准备好的电气数据，从而进行版图和线路图的对查（LVS）。用Diva可以在设计的时期就进行检查，尽早发现错误并互动地把错误显示出来，有利于及时发现错误所在，易于纠正。DIVA工具集包括以下部分：1．设计规则检查（iDRC）2．版图寄生参数提取（iLPE）3．寄生电阻提取（iPRE）4．电气规则检

3、查（iERC）5．版图与线路图比较程序（iLVS）Diva的各个组件之间是互相联系的，有时候一个组件的执行要依赖另一个组件先执行。例如：要执行LVS就先要执行DRC等。在Cadence系统中，Diva集成在版图编辑程序Virtuoso和线路图编辑程序Composer中，在这两各环境中都可以激活Diva。要运行Diva前，还要准备好规则验证的文件。可以把这个文件放在任何目录下，这些规则文件的写法下面专门会进行说明，也会给出例子。这些文件有各自的默认名称，如：做DRC时的文件应以divaDRC.rul命名，版图提取文件以divaEXT.rul命名。做LVS时规则文件应以

4、divaLVS.rul命名。第一节规则文件的编写设计规则检查文件编写下面结合TOP223工艺的设计规则，来简介diva规则文件的基本语法。3uN阱硅栅高压BICMOS设计规则（部分）设计规则1.an阱n阱的最小宽度10u1.b阱与阱的最小间距13u2.ap-p-最小宽度3u2.bp-之间的最小间距4u2.cp-到n阱的最小间距(outsidenwell)2u2.dp-到n阱的最小间距(insidenwell)1u3.a有源区有源区的最小宽度3u3.b有源区之间的最小间距3u3.cp有源区到N阱的最小间距(outsidenwell)7u3.dn有源区到N阱的最小间距(

5、outsidenwell)7u3.ep有源区到N阱的最小间距(insidenwell)2u3.fn有源区到N阱的最小间距(insidenwell)6u5.aDPDP的最小宽度6u5.bDP到n阱的最小间距2u5.cDP到集电区的最小间距4u5.dDP到发射区的最小间距2u7.a多晶硅poly的最小宽度(作连线或电阻)3u7.bpoly之间的最小间距3u7.c在场区上露头2u7.d场区上多晶至有源区2u7.e有源区内多晶至有源区边界1.5u8.ap+p+最小宽度3u8.bp+之间的最小间距2u9.an+n+最小宽度3u9.bn+之间的最小间距2u10.a接触孔接触孔的

6、最小宽度4u10.b接触孔之间的最小间距2u10.c有源区包接触孔1.5u10.d多晶硅内引线孔至有源区3.5u10.e有源区内引线孔至多晶硅2.0u10.f多晶硅盖引线孔1.5u11.aAl铝条最小宽度4u11.b铝条之间最小间距2u11.c铝包孔1.5u12.a压点压点最小宽度100u12.b压点之间最小间距50u12.c铝包压点5u工艺层次的定义：No.ProcessSequenceMaskName1.NwellNT2.P-FieldLP3.ActiveAreaTO5．DeepP+DP7．Poly1GT8．P+S/DP+9．N+S/DN+10．ContactW

7、111．MetalA112．PADCP（注意：上面版图MaskName和实际系统中技术文件中定义的有区别，MaskName是可以更改，但是规则文件中的引用的MaskName要和技术文件中定义的一致。）结合上面的规则，编写如下diva规则文件，取名为divaDRC.rul。第一节包括很多的geomOr（）语句，括号中双引号内的字都是在版图设计中用到的物理层次，geomOr()语句的目的是把括号里的层次合并起来，也就是或的关系。利用这些原始层次的“与或非”关系可以生成设计规则检查所需要的额外层次（文件中的分号引导注释行）：；TOP223的规则检查drcExtract