《微波有源电路》PPT课件

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1、微波有源电路微波有源电路主要有：控制电路（开关，电调衰减器，移相器）频率变换电路（混频器，倍频器)放大电路（低噪声放大器，功率放大器）振荡电路（VCO，DRO）有源放大电路场效应晶体管特性小信号放大器设计非线性特性放大器与收发单元实例MMIC电路的实际应用场效应晶体管特性MESFET与MOSFET比较类似，只是MOS管调制的是沟道电流，MESFET是通过电压调制栅下耗尽层的形状和厚度达到对源漏电流动控制。场效应晶体管特性两个导电电极之间用一个控制电极（栅极）分开一定距离。该控制栅极（称做栅极）相对于源极为负偏置的，因而，对试图从源极流向漏极

2、的电子呈现一个减速势垒。场效应晶体管公取决于一种形式的电荷载流子流通，因此被称做“单极的”。场效应晶体管特性场效应晶体管特性导电沟道通过设置在半导体上且相隔一段距离的两个欧姆接触（称做源极和漏极）与外电路相连接。栅极由放在这两个欧姆接触之间的一个整流（肖特基）接触构成。导电沟道是很薄的，一般约为0.1～0.3μm，因此，肖特基接触（栅极）下面形成的耗尽区可以有效地控制该薄层内电流的流动。这种器件作用如同一个压按开关，有极高的调制速率。无栅极器件当漏极电位增大时，就有电流流通如A区所示。该电流电压特性是线性的，且直接遵循制造该器件用的半导体的

3、速度-电场特性。当漏极-源极电压增到内部电场达到饱和时，就出现性能偏离线性范围（B区）。场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性场效应晶体管特性晶体管的非线性特性GaAs大信号模型晶体管的非线性特性晶体管的非线性特性晶体管的非线性特性小信号放大器设计小信号放大器设计小信号放大器设计小信号放大器设计小信号放大器设计小信号放大器设计FLL107ME小信号放大器设计FHC40LG小信号放大器设计小信号放大器设计设计过程(1)确定

4、目标函数(2)选择合适的管芯和拓扑(3)进行小信号分析(4)制版(5)测试小信号放大器设计MMIC放大器GaAs由于电子迁移率较高、工作温度范围大、微波传输性能好，所以使得MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。得到了广泛的应用。是目前使用的最广泛的微波半导体材料。GaAsGaAs由于电子迁移率较高、工作温度范围大、微波传输性能好，所以使得MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。得到了广泛的应用。是目前使用的最广泛的微波半导体材料

5、。GaNGaN是一种宽带隙的半导体材料，具有优异的物理和化学性质，如大的热导率和介电常数，高的电子饱和速率和化学稳定性，因此有望制成在高温、高辐射等恶劣条件下工作的半导体器件。近年来由于半导体薄膜生长技术的发展，已经能在蓝宝石、SiC及Si上生长出高质量的GaN薄膜，并用于制备大功率微波器件、高温电子器件、探测器件和发光器件。InPInP与GaAs相比，击穿电场、热导率、电子平均速度更高，而且在异质结InAlAs/InGaAs界面处存在较大的导带不连续性、二维电子气密度大、沟道中电子迁移率高等优点，决定了InP基器件在化合物半导体器件中的地

6、位。目前InPHEMT已经成为毫米波高端应用的支柱产品，器件的特征频率ft达到340GHz，InPHBT有望在大功率、低电压等方面开拓应用市场。MMIC的设计MMIC设计周期长、成本高，精确设计十分重要，也具有一定的难度从成本分析，设计成本是MMIC产品开发中最昂贵的部分。因为MMIC研制过程中一轮的成本至少包括：电路设计费、版图设计费、光刻版加工费、实验投片流程费和芯片测试费等五部分。MMIC电路精确设计的难度（1）GaAs衬底的相对非理想性；（2）化合物半导体工艺的相对独立性。MMIC放大器的设计(1)确定目标函数(2)选择合适的管芯和

7、拓扑(3)进行小信号分析(4)大信号分析(5)电磁场分析(6)成品率分析(7)绘制版图(8)DRC(9)流片(10)测试版图设计（1）根据模型元器件结构采用相应的版图结构；（2）在版图中要用宽松的工艺容差；（3）考虑最小芯片面积原则和抑制RF寄生耦合相结合（4）可靠性设计原则。MMIC放大器的设计TGA1171-SCC版图MMIC放大器的设计TGA1171-SCC芯片放大器与收发单元实例放大器与收发单元实例38GTX放大器与收发单元实例38GRX放大器与收发单元实例KuBandPower放大器与收发单元实例PowerModule放大器与收发

8、单元实例CBandInterFETMMIC电路的实际应用相控阵雷达WiMAXBaseStation雷达功放模块方框图至控制面板11Pout高功率环行器定向耦合器驱动放大器放大器放