AMS+Ultrasim仿真

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1、AMS+Ultrasim仿真说明如下图,打开ADE,->simulation->Option->Fastspice,弹出对话窗口:可以看到,有SPEED,ACCURZCY&OUTPUTOPTIONS栏Simulationmode:如下图,有(1)digitalfast(DF),数字模块仿真速度优先;用于数字电路和存储器(memories)电路功能验证。它对MOSFET采用数字非线性电流模型、对MOSFET以及其扩散结和二极管采用恒定电容模型(constantcapacitancemodel)。并且,使用了p

2、artitioningalgorithm以达到高速仿真。(2)DigitalAccurate(DA),精度优先。用于数字电路及存储电路的时序验证和一些PLL,混合信号设计。DA模式对MOSFET采用数字非线性电流模型、对MOSFET以及其扩散结和二极管采用恒定电容模型(constantcapacitancemodel)。DA模式采用partitioning以使仿真错误少于5%。(3)Mixedsignal(MS):混合信号仿真,为模拟,混合信号,PLL等应用的仿真提供所需要的精度。它对MOSFET的电流,电

3、荷以及MOSFET扩散结,二极管,应用partitioning和典型的模拟模型。MS模式的精度在3%以内。(4)AnalogMulti-Rate(AMR):targetsnicheapplicationswithmulti-ratebehaviorthataretoosensitivetobesimulatedwithmsmode,buttoocomplexforamode.Highersimulationspeed,whencomparedtoamode,isachievedbyusingconserva

4、tiveanalogpartitioning,butislimitedtodesignswithmulti-ratebehavior.Targetaccuracyiswithin2%ofsmode.(5)AnalogMode(A):此模式针对高精度应用领域,如ADC,DAC,DC/DC等。(6)spicemode(S):应用BerkeleySPICEmodels以匹配其他SPICE仿真器(targeterroof1%)。SPEEDoption:High-SensitivityAnalogOptionVirt

5、uosoUltraSimsimulator在仿真模式中采用circuitpartitioning来改善仿真性能。此项设置只应用与ms,da,df,amr模式,而a,s模式是不用partitioning的。POSTLayoutmethod:NORCR(0);ConservativeRCR(1),ModerateRCR(2);LiberalRCR(3);Post-layoutCOnly(4);其中NORCR(0)用于前仿;ConservativeRCR(1)用于保守的带寄生参数的电路仿真;

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