《光伏行业psg》PPT课件

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1、湿法刻蚀1.背腐蚀分离P—N结的原理2.背腐蚀设备简介3.常见的问题及处理办法湿法刻蚀原理背靠背方式不可能完全紧贴，背面不可避免的产生了不均匀掺杂。湿法刻蚀原理等离子刻蚀湿法刻蚀湿法刻蚀原理背腐蚀法是将扩散后的硅片放置于腐蚀液上方，硅片的扩散面朝上，背面与腐蚀液离的足够近，但并不接触。靠液体表面张力作用使腐蚀液吸附在背面，将背面浅浅的n层腐蚀掉，正面的发射极没有任何损伤。背腐蚀后p-n结同样很好的分离，印制的铝背场与电池面积有一定差距，不会造成任何边缘漏电流，并联电阻足够大。同时，又降低了背面的杂质含量，降低了背面的复

2、合速率，提高电池性能。湿法刻蚀原理背腐蚀设备kuttler设备01上料段→02去psg→03背腐蚀→04水洗→05HF腐蚀→06水洗→07碱洗→08水洗→09混酸洗→10水洗→11吹干→12下料段背腐蚀设备02去psgSi02+6HF→H2SiF6+2H20作用使硅片脱水，在背腐蚀的时候容易控制刻蚀边距。03背腐蚀腐蚀液是HN03／HF体系，其配比为HNO，：HF：H20=126：19：45(体积比)。这个配比是富氧的体系，能够起到很好的抛光作用。通过反应前后称重计算出腐蚀深度。背腐蚀设备03背腐蚀温度为4度。原因：1

3、、4度时水的表面张力最大。2、温度越低，气体挥发量越小。05HF腐蚀作用：1、增加气相腐蚀，用于特殊工艺2、用于碱雾的隔离现不用，把其做水槽背腐蚀设备07碱洗氢氧化钠作用：1、去除背腐蚀产生的硝酸盐。2、去除多空硅，多空硅的去除很快，所以碱槽也是单面的，上面只是在出碱槽时喷淋一下。碱槽的温度不要高，18度背腐蚀设备09混酸洗HF酸主要作用使硅片表面脱水。HCL作用，去除钠离子。常见的问题及处理办法1、刻蚀不足原因:刻蚀槽液位低解决办法：调高刻蚀槽泵浦1，调小刻蚀槽回流阀。2、过刻蚀液位过高，降低刻蚀槽泵浦1或者调

4、小刻蚀槽回流阀。抽风紊乱，调节各排风开关，使刻蚀槽内气流平稳。硅片未干，查看二号槽脱水情况，调节二号槽风刀常见的问题及处理办法3、刻蚀重量超出范围氢氟酸和硝酸的浓度异常减重小，加氢氟酸。减重大，补水。富硝酸体系中，硝酸的少量减少对反应速度几乎没有影响，主要影响反应速度的是氢氟酸。常见的问题及处理办法4、下料段硅片未干查看9槽脱水情况，调节吹干段的风刀5、下料段硅片有黄斑查看7号碱槽液位及配槽情况。