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时间:2019-07-02
《半导体的导电能力a与导体相同b与绝缘体相同c》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、1半导体的导电能力()。(a)与导体相同(b)与绝缘体相同(c)介乎导体和绝缘体之间2当温度升高时,半导体的导电能力将()。(a)增强(b)减弱(c)不变3P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应()。(a)带正电(b)带负电(c)不带电4N型半导体的多数载流子是电子,因此它应()。(a)带负电(b)带正电(c)不带电5将PN结加适当的正向电压,则空间电荷区将()。(a)变宽(b)变窄(c)不变6将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将()。(a)变窄(b)变宽(c)不变7若将PN结短接,在外电路将()。(a)产生一定量的恒定电流(b)产生一冲击电流
2、(c)不产生电流8普通半导体二极管是由()。(a)一个PN结组成(b)两个PN结组成(c)三个PN结组成9半导体二极管的主要特点是具有()。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用10理想二极管的正向电阻为()。(a)零(b)无穷大(c)约几千欧11理想二极管的反向电阻为()。(a)零(b)无穷大(c)约几百千欧12在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电,所以空间电荷区的电阻率()。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半导体的电阻率13二极管导通的条件是加在二极管两端的电压()。(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必
3、须加反向电压14二极管接在电路中,若测得a、b两端电位如图所示,则二极管工作状态为()。(a)导通(b)截止(c)击穿15如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接,电路如图所示,则后果是该管()。(a)击穿(b)电流为零(c)电流正常(d)电流过大使管子烧坏16电路如图所示,二极管D为理想元件,US=5V,则电压uO=()。(a)Us(b)US/2(c)零17电路如图所示,二极管D、D为理想元件,则在电路中()。(a)D起箝位作用,D起隔离作用(b)D起隔离作用,D起箝位作用(c)D、D均起箝位作用(d)D、D均起隔离作用
4、18电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D、D、D的工作状态为()。(a)D导通,D、D截止(b)D、D截止,D3导通(c)D、D截止,D导通(d)D、D、D均截止19电路如图所示,二极管D、D为理想元件,判断D、D的工作状态为()。(a)D导通,D截止(b)D导通,D导通(c)D截止,D导通(d)D截止,D截止20先后用万用表的“R×10”挡和“R×100”挡测量同一只二极管的正向电阻,设两次测量值分别是R和R,则二者相比为()。(a)R>R(b)R=R(c)R5、反向电阻相等(b)正向电阻大,反向电阻小(c)反向电阻比正向电阻大很多倍(d)正、反向电阻都等于无穷大22在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是()。序号正向电流(正向电压相同)反向电流(反向电压相同)反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V23型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V24二极管的死区电压随环境温度的升高而()。(a)增大(b)不变(c)减小25二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而()。(a)6、增大(b)减小(c)不变26电路如图所示,二极管D的正向压降为0.6V,反向工作峰值电压URWM=100V,反向峰值电流IRM=10A,电源US=100V,负载电阻RL=10k,则电压uO为()。(a)0.6V(b)10V(c)0.1V27电路如图所示,设电压表V的内阻为无穷大,R=10kW,二极管D的型号为2CP10,则V的读数约为()。(a)0.7V(b)0.3V(c)1V28电路如图所示,二极管型号为2CP11,设电压表内阻为无穷大,电阻R=5kW,则电压表V的读数约为()。(a)0.7V(b)0V(c)10V29二极管D和灯泡HL相串联,电路如图所示。7、设电源电压u=Usinwt,且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略,则灯泡两端的电压平均值UAB为()。(a)0.5U(b)0.707U(c)0.45U(d)U30电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号ui为如图所示的三角波,则输出电压uO的最大值为()。(a)5V(b)10V(c)2V(d)7V31电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4k,电位uA=1V,uB=3V,则电位uF等于()。(a)1V(b)3V(c)12V32电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,uA=3sintV,uB=3V,R=4k,则uF等于()。(a)3V(b)3si8、ntV(c)3V+3sintV33电路
5、反向电阻相等(b)正向电阻大,反向电阻小(c)反向电阻比正向电阻大很多倍(d)正、反向电阻都等于无穷大22在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是()。序号正向电流(正向电压相同)反向电流(反向电压相同)反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V23型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V24二极管的死区电压随环境温度的升高而()。(a)增大(b)不变(c)减小25二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而()。(a)
6、增大(b)减小(c)不变26电路如图所示,二极管D的正向压降为0.6V,反向工作峰值电压URWM=100V,反向峰值电流IRM=10A,电源US=100V,负载电阻RL=10k,则电压uO为()。(a)0.6V(b)10V(c)0.1V27电路如图所示,设电压表V的内阻为无穷大,R=10kW,二极管D的型号为2CP10,则V的读数约为()。(a)0.7V(b)0.3V(c)1V28电路如图所示,二极管型号为2CP11,设电压表内阻为无穷大,电阻R=5kW,则电压表V的读数约为()。(a)0.7V(b)0V(c)10V29二极管D和灯泡HL相串联,电路如图所示。
7、设电源电压u=Usinwt,且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略,则灯泡两端的电压平均值UAB为()。(a)0.5U(b)0.707U(c)0.45U(d)U30电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号ui为如图所示的三角波,则输出电压uO的最大值为()。(a)5V(b)10V(c)2V(d)7V31电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4k,电位uA=1V,uB=3V,则电位uF等于()。(a)1V(b)3V(c)12V32电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,uA=3sintV,uB=3V,R=4k,则uF等于()。(a)3V(b)3si
8、ntV(c)3V+3sintV33电路
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