半导体的导电能力a与导体相同b与绝缘体相同c

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1、1半导体的导电能力（）。(a)与导体相同(b)与绝缘体相同(c)介乎导体和绝缘体之间2当温度升高时，半导体的导电能力将（）。(a)增强(b)减弱(c)不变3P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。(a)带正电(b)带负电(c)不带电4N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。(a)带负电(b)带正电(c)不带电5将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。(a)变宽(b)变窄(c)不变6将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。(a)变窄(b)变宽(c)不变7若将PN结短接，在外电路将（）。(a)产生一定量的恒定电流(b)产生一冲击电流

2、(c)不产生电流8普通半导体二极管是由（）。(a)一个PN结组成(b)两个PN结组成(c)三个PN结组成9半导体二极管的主要特点是具有（）。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用10理想二极管的正向电阻为（）。(a)零(b)无穷大(c)约几千欧11理想二极管的反向电阻为（）。(a)零(b)无穷大(c)约几百千欧12在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半导体的电阻率13二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）。(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必

3、须加反向电压14二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（）。(a)导通(b)截止(c)击穿15如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（）。(a)击穿(b)电流为零(c)电流正常(d)电流过大使管子烧坏16电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压uO=（）。(a)Us(b)US/2(c)零17电路如图所示，二极管D、D为理想元件，则在电路中（）。(a)D起箝位作用，D起隔离作用(b)D起隔离作用，D起箝位作用(c)D、D均起箝位作用(d)D、D均起隔离作用

4、18电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D、D截止(b)D、D截止，D3导通(c)D、D截止，D导通(d)D、D、D均截止19电路如图所示，二极管D、D为理想元件，判断D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D截止(b)D导通，D导通(c)D截止，D导通(d)D截止，D截止20先后用万用表的“R×10”挡和“R×100”挡测量同一只二极管的正向电阻，设两次测量值分别是R和R，则二者相比为（）。(a)R>R(b)R=R(c)R

5、反向电阻相等(b)正向电阻大，反向电阻小(c)反向电阻比正向电阻大很多倍(d)正、反向电阻都等于无穷大22在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是（）。序号正向电流（正向电压相同）反向电流（反向电压相同）反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V23型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V24二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。(a)增大(b)不变(c)减小25二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（）。(a)

6、增大(b)减小(c)不变26电路如图所示，二极管D的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压URWM=100V，反向峰值电流IRM=10A，电源US=100V，负载电阻RL=10k，则电压uO为（）。(a)0.6V(b)10V(c)0.1V27电路如图所示，设电压表V的内阻为无穷大，R=10kW，二极管D的型号为2CP10，则V的读数约为（）。(a)0.7V(b)0.3V(c)1V28电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R=5kW，则电压表V的读数约为（）。(a)0.7V(b)0V(c)10V29二极管D和灯泡HL相串联，电路如图所示。

7、设电源电压u=Usinwt，且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略，则灯泡两端的电压平均值UAB为（）。(a)0.5U(b)0.707U(c)0.45U(d)U30电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（）。(a)5V(b)10V(c)2V(d)7V31电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于（）。(a)1V(b)3V(c)12V32电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，uA=3sintV，uB=3V，R=4k，则uF等于（）。(a)3V(b)3si

8、ntV(c)3V+3sintV33电路