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时间：2019-07-01
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1、第二节直接带隙与间接带隙跃迁一.竖直跃迁与非竖直跃迁竖直跃迁：电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs,Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。非竖直跃迁：电子跃迁的初态、态终不对应着布里渊区的同一波矢K。Ge、Si中。二.跃迁的K选择定则以上两种跃迁均满足：①能量守恒②动量守恒三.直接带隙跃迁光子的波数很小直接带隙跃迁（竖直跃迁）参与者：光子、电子、空穴跃迁几率大，属一级微扰过程。四.间接带隙跃迁电子跃迁初、终态的值不相等，有声子参与（）有声子参加才满足动量守恒的跃迁称为间接带隙跃迁。有四种量子参与的跃迁二.跃迁几率首先确
2、定包括微扰在内的描述能量的哈密顿量和该系统的波函数,再求解薛定谔方程.三.电子在浅杂质能级和与其相对的能带之间跃迁束缚电子波函数:四.重掺杂下带-带跃迁当掺杂浓度↑→外层电子的波函数交叠形成杂质能带→进入本征抛物线能带→带尾→带隙变窄→光谱变宽跃迁矩阵元
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