欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:39328571
大小:1.47 MB
页数:32页
时间:2019-06-30
《功率场效应晶体管 44 绝缘栅双极型晶体管IGBT 44其他器件1》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、1.2.3功率场效应晶体管功率场效应晶体管是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件,通常又叫绝缘栅功率场效应晶体管,简称为PMOSFET,用字母PM表示。功率场效应晶体管已发展了多种结构型式,本节主要介绍目前使用最多的单极VDMOS、N沟道增强型PM,1因源极S与漏极D间存在寄生二极管。管子截止时,漏源间的反向电流就在此二极管内流动。因此,PMOSFET又可用图b表示。在变流电路中,PMOSFET自身的寄生二极管流过反向大电流,可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过PMOSFET,在它的外面常并接一个快速二极管VD2,串接一个二极管VD1。因
2、此,PMOSFET元件在变流电路中的实际形式如图c。2特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单,需要的驱动功率小。开关速度快,工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。31、当栅—源极间的电压UGS≤0或0<UGS≤UV(UV为开启电压,又叫阈值电压,典型值为2~4V)时,即使加上漏—源极电压UDS,也没有漏极电流ID出现,PM处于截止状态。2、当UGS>UV且UDS>0时,会产生漏极电流ID,PM处于导通状态,且UDS越大,ID越大。另外,在相同的UDS下,UGS越大,ID越大。综上所述,PM的漏
3、极电流ID受控于栅—源电压UGS和漏—源电压UDS。(ID受双重控制)4(1)输入阻抗高,属于纯容性元件,不需要直流电流驱动,属电压控制器件,可直接与数字逻辑集成电路连接,驱动电路简单。(2)开关速度快,工作频率可达1MHz,比GTR器件快10倍,可实现高频斩波,开关损耗小。(3)为负电流温度系数,即器件内的电流随温度的上升而下降的负反馈效应,因此热稳定性好,不存在二次击穿问题,安全工作区SOA较大。1.P-MOSFET的主要特性52.PMOSFET的栅极驱动电路1.对栅极驱动电路的要求(1)为PM的栅极提供所需要的栅压,以保证P-MOSFET可靠导通。(2
4、)减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充放电速度,从而提高器件的开关速度。(3)实现主电路与控制电路间的电隔离。(4)因为PM的工作频率和输入阻抗都较高,很容易被干扰,所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力。6理想的栅极控制电压波形如图,提高栅极电压上升率duG/dt可缩短开通时间,但过高会使管子在开通时承受过高的电流冲击。正、负栅极电压的幅值UG1、UG2要小于器件规定的允许值。72.栅极驱动电路基本电路型式(a)共源极电路;(b)共漏极电路;(c)转换开关电路;(d)交流开关电路(1)图a是共源极电路:相当于普通晶体管的共发射极电路。(2)图b是共漏极电路
5、:相当于射极跟随器。(3)图c转换开关电路:PM1与PM2轮流驱动导通可构成半桥式逆变器。(4)图d交流开关电路:PM1、VD2导通时,负载为交流正向;PM2、VD1导通时,负载为交流负向,它是交流调压电路的常用形式。8图4-21P-MOSFET逆变器3.驱动电路举例1、图4-21是一种数控逆变器,两个P-MOSFET的栅极不用任何接口电路直接与数字逻辑驱动电路连接。该驱动电路是由两个与非门与RC组成的振荡电路。当门Ⅰ输入高电平时,电路起振时,在PM1、PM2的栅极分别产生高、低电平,使它们轮流导通,将直流电压变为交流电压,实现逆变。振荡频率由电容与电阻值决
6、定。9图4-22直流斩波的驱动电路2、图4-22为直流斩波的驱动电路。斩波电源为UD,由不可控整流器件获得,当管子PM2导通时,负载得电,输出电流Io>0。当PM2关断时,VD4续流,直到Io=0,VD4断开,接着PM3导通。10P-MOSFET在电力变流技术中主要有以下应用:(1)在开关稳压调压电源方面,可使用P-MOSFET器件作为主开关功率器件可大幅度提高工作频率,工作频率一般在200~400kHz。频率提高可使开关电源的体积减小,重量减轻,成本降低,效率提高。目前,P-MOSFET器件已在数十千瓦的开关电源中使用,正逐步取代GTR。3.P-MOSFE
7、T的应用11(2)将P-MOSFET作为功率变换器件。由于P-MOSFET器件可直接用集成电路的逻辑信号驱动,而且开关速度快,工作频率高,大大改善了变换器的功能,因而在计算机接口电路中应用较多。(3)将P-MOSFET作为高频的主功率振荡、放大器件,在高频加热、超声波等设备中使用,具有高效、高频、简单可靠等优点。121.2.4绝缘栅双极型晶体管1.IGBT的工作原理IGBT的结构是在P-MOSFET结构的基础上作了相应的改善,相当于一个由P-MOSFTET驱动的厚基区GTR,其简化等效电路和电气符号如图。图4-23IGBT的简化等效电路图4-24IGBT的图
8、形符号13IGBT有三个电极,分别是集电极C、发射极
此文档下载收益归作者所有