米勒效应分析

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1、Mos管米勒效应分析‐dengdexing1、元器件参数IRFBL3703VDSSRDS(on)maxID30V0.0025Ω   260AID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent,VGS@10V260AID@TC=100°CContinuousDrainCurrent,VGS@10V180dv/dtPeakDiodeRecovery,5.0V/nsCissInputCapacitance–––8250pfCossOutputCapacitance–––3000pfCrssReverseTransferCapac

2、itance10360pfCossOutputCapacitance3060pf其他参数请见IR官网IRFBL3703datasheet。2、mos门极灌电流（驱动源电压幅值）对驱动波形的影响L11210uHVIR521M4V1=0V1IRFBL3703V2=15V12V4V100VTD=030VdcTR=50nsR7C12R9TF=50ns10K1nf2000kPW=50usR1PER=100us2I10.00110图1在图1的电路条件下，从图2可以看出，驱动波形输入后约300ns后进入米勒平台，平台电压在4.5V左右，平台持续时间约6

3、50ns，在进入米勒平台约20ns后ds压降开始急剧下降，功率管mos开始导通，功率管流通电流开始增大，在平台期间的前200nsds压降下降迅速，在平台持续期间mos并未完全进入饱和区，在此区间功率管损耗较大，平台结束后mos开始进入饱和，ds饱和导通，ds压降非常小。40米勒平台分析-IRFBL3703漏源极压降3020驱动脉冲源mos门极电压达到米勒平台电压4.5V,20ns以后，ds电压mos门极电压波形10开始快速下降200ns后降到5V左右功率管电流300ns后开始进入米勒平台米勒平台功率管电流的上升取速度平台电压在4.5V左右

4、米勒平台持续600ns取决于功率回路的感抗感抗越大上升越慢米勒平台结束后ds压降降到饱和导通电压00s0.5us1.0us1.5us2.0us2.5us3.0usV(R7:1)V(M4:D)-I(R1)-I(L1)V(R5:2)Time图2当驱动电压输入到mos的GAT脚后，驱动波形开始个mos门极和源极之间的电容充电，在充电过程中会有米勒平台出现，平台的出现时间根据mos的型号有所区别，只有当驱动电压降mosGAT脚电压冲到米勒平台建立的电压4.5V左右后mos才开始导通，并且平台会持续一定时间，ds压降急剧下降，开始导通。L11210

5、uHR5V21M4V1=0V1IRFBL3703V2=7VV1V2V4100TD=030VdcTR=50nsR7C12R9TF=50ns10K1nf2000kPW=50usR1PER=100us2I10.00110图3驱动PWM波形幅值变为7V图3较图1,驱动源幅值由15V变为7V,mos的充电电流也相应减少，从图4可以看出，300ns后mos门极开始进入米勒平台，ds压降在进入米勒平台的20ns左右急剧下降，功率管流过电流相应上升，平台持续时间约2600ns，在进入平台的前800ns的时间断ds压降下降迅速，剩余平台时间段ds电压下降较

6、前一段较慢，米勒平台结束后ds压降到达饱和压降电压。40IRFBL3703米勒效应分析230GATE=7Vds压降波形20电流波形10驱动源，7V门极驱动波形平台持续时间600ns米勒平台300ns左右到达米勒平台3100ns后到达饱和压降00s1us2us3us4us5us6us7us8us9us10usV(M4:G)V(M4:D)-I(R1)V(V1:+)Time图4米勒效应分析‐ GATE=7V在此可以得到结论，充电电流的大小（驱动电压的幅值，当然驱动电阻的作用也是等效的，驱动电阻越小，驱动源灌入GATE门极的电流越大）影响到mos

7、管GATE门极的上升速度，决定了ds压降下降的速度，以及mos管ds电压应力的伏秒数。L11210uHR5V21M4V1=0V1IRFBL3703V2=15VV1V2V410TD=030VdcTR=50nsR7C12R9TF=50ns10K1nf2000kPW=50usR1PER=100us2I10.00110图5驱动电阻R5=10ohm上面有提到，在门极驱动源电压幅值不超过mos的门极电压范围、驱动源供电能力充足的前提下，增加驱动源幅值同减小驱动电阻的作用类似，都可以增加单位时间灌入mos门极电容的电流，从而减小mos门极充电时间，缩短

8、导通过程中ds压降到饱和压降的时间，这样有利于降低在卡通过程中的损耗。图4中驱动电阻变为R5=10ohm，图6所示，在驱动信号到达的60ns后就开始米勒效应，米勒平台宽度变为70ns，米勒平台