《项目二三极管》PPT课件

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1、项目二 半导体三极管 认知及应用电子组高湘锋常采用金属、玻璃或塑料封装。外形如图。1、外形及封装形式任务一、半导体三极管的认知又称晶体三极管,简称晶体管。一、半导体三极管的基本知识2、结构及符号三极:发射极E、基极B、集电极C。三区:发射区、基区、集电区。箭头方向表示发射结正向电流的方向。两结:发射结(Je)、集电结(Jc)。结构特点:①发射区掺杂浓度较高,体积较小。②集电区掺杂浓度较低,体积较大。③基区很薄,掺杂浓度最低。按导体类型不同:NPN型和PNP型按工作时消耗的功率不同:小功率管和大功率管按工作频率不同:低频管和高频管按管芯所用半

2、导体材料不同:锗管和硅管按工艺特点不同:合金管和平面管按用途不同:放大管和开关管3、分类二、电流放大作用1、各电极上的电流分配实验电路如图:IB/mA00.0010.020.030.040.05IC/mA0.010.0561.141.742.332.91IE/mA0.010.0571.161.772.372.96IE=IB+IC发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。结论:电流分配规律:节点电流定律:流入管子的电流之和等于流出管子的电流之和。2、电流放大作用交流电流放大系数β=从实验表数据可以看出,当基极电流IB由0.03mA变到0.04m

3、A时,集电极电流IC由1.74mA变到2.33mA。上面两个变化量之比为:电流放大作用:基极电流的微小变化控制了集电极电流的较大的变化。注意:(1)三极管的电流放大作用,实质上是用较小的基极电流信号去控制集电极的大电流信号,是“以小控大”的作用,而不是能量的放大。(2)三极管的放大作用,需要一定的外部条件:发射结正偏,集电结反偏。指在UCE一定时,放大电路输入端基极电流IB和基—射极电压UBE的关系曲线。如图:1、输入特性曲线三、三极管的特性曲线测试电路如图特点:(1)当UCE=0V时,输入特性曲线与二极管伏安特性曲线形状相似;当UCE>1

4、V时,特性曲线向右移动一段距离。(2)存在一段死区IB=0,处于截止状态(3)三极管正常工作时,可认为UBE是定值。正向管压降îíì=UBE约为0.3V(Ge)约为0.7V(Si)死电区压:îíì=(Si)V0.2V5.0UBE(Ge)当基极电流IB为某一定值时,输出端集电极电流IC与集—射极电压UCE间的关系曲线。2、输出特性曲线测试电路如图输出特性曲线如图:(1)截止区区域:IB=以下的区域。发射结、集电极结均处于零偏或反偏状态。(3)放大区(2)饱和区发射结和集电结均为正向偏置。管子失去放大作用,出现饱和现象,存在饱和压降UCES,硅

5、管约0.3V,锗管约为0.1V;此时相当于开关的“闭合”。IB=0,IC≈0,只有很小的ICEO,相当于开关的“断开”,无电流放大作用。条件:特点:UCE<1V时,IC随UCE增大接近直线上升部分的左侧。区域:条件:特点:区域:介于截止区和饱和区之间的区域。发射结正向偏置,集电结反向偏置。条件:四、主要参数:(3)集—射反向穿透电流ICEO:越小越好。(2)集—基反向饱和电流ICBO:越小越好。(1)交流电流放大系数β:(1)直流电流放大系数:特点:IC受IB控制,即IC=IB,为受控特性;在放大状态,当IB一定时,IC不随UCE变化,即

6、放大状态的三极管具有恒流特性。结论:三极管具有“放大”和“开关”功能。直流参数:交流参数(2)共发射极特征频率fT:β=1极限参数β≈①集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO②集电极最大允许电流ICM③集电极最大允许耗散功率PCM决定安全工作范围将万用表拨到欧姆挡R×100Ω或R×1KΩ挡,用黑表笔接假设基极,红表笔分别接其他两极,若两次阻值均很小,则假设正确,与黑表笔所接为NPN型三极管的基极;若阻值一大一小,则假设错误,应把黑表笔所接电极调换一个,再按上述方法测试.确定基极后,假定其余两电极中一个是集电极,用黑表笔接此电极,红表笔接假定

7、发射极,用手指把假设集电极和已测出的基极捏在一起(但不要相碰),记下此时阻值;做相反假设和同样测试,比较两次读数大小,阻值小的一次正确,黑表笔所接为集电极,红表笔所接为发射极。若PNP型调换红、黑表笔即可。五、简易测试1、方框图一、三极管的基本连接方式任务2共射基本放大电路的探究放大电路简称放大器,是把微弱的电信号放大到负载所需的额定值,他是电子设备中最基本、最重要的单元电路。2、三种基本连接方式输入端:基极;输出端:集电极;公共端:发射极输入端:基极;输出端:发射极;公共端:集电极输入端:发射极;输出端:集电极;公共端:基极(c)(b)V

8、:放大管,起电流放大作用。Rb:向基极提供偏置电流IB。同时也为发射结提供正向偏压。+UCC:为电路提供能源,为各极提供工作电压和电流。Rc:电源UCC经RC为集电结提供反偏电压

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