《静电保护器》PPT课件

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1、全球第一家集成电路网络超市(IC网络超市)IC网络超市www.ic-jiazhi.com功率线产品介绍CONTENT1.静电保护器件ESD保护管2.MOSFET3.电压基准（VoltageRegerence)静电保护器件ESD保护管静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。LRC的ESD保护管具有以下特点:1、满足行业标准2、低工作电压3、低电容4、低漏电流5、高浪涌电流容量6、单路和多路保护7、小封装,节省电路版空间,满足设计机动性8、ROHS/无卤素静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其

2、免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。当ESD保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10~12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。ESD保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。ESD保护管的正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。静电保护器件ESD保护管ESD保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。静电保护器件ESD保护管VRWM(ReversePeakW

3、orkingVoltage)：指ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压VBR时，ESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时VRWM不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选VRWM＝0.9VBR。VBR(ReverseBreakdownVoltage):在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，它是ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时，ESD保护管的阻抗将变得很小。VBR会受到结温的影响而有所

4、变化。VC(MaximumClampingVoltage):指ESD保护管流过最大浪涌电流（峰值为IPP）时其端电压由VRWM上升到一定值后保持不变的电压值。ESD保护管就是通过这个箝位电压来实现保护作用的，浪涌过后，IPP随时间以指数的形式衰减，当衰减到一定值后，ESD保护管两端的电压开始下降，恢复原来状态。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2～1.4之间。静电保护器件ESD保护管IPP(MaximumReversePeakPulseCurrent)：指ESD保护管允许流过的最大浪涌电流，它反映了TVS的浪涌抑止能力。PPP（PeakPowerDissi

5、pation）：指ESD保护管在指定结温下所能承受的最大峰值脉冲功率。在特定的最大钳位电压下，功耗P越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗P下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。静电保护器件ESD保护管LRCESD保护管满足的行业标准IEC61000-4-2(ESD)±15KV(空气放电)IEC61000-4-2(ESD)±8KV(接触放电)IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)IEC61000-4-5(雷电)静电保护器件ESD保护管在很多场合,出于成本的考虑,人们也会选用压敏电阻,现给出它们的差异:关键参数或极限值TVS压敏电

6、阻反应速度10-12s5×10-8s有否老化现象否有最高使用温度175℃115℃元件极性单极性与双极性单极性反向漏电流典型值5μA200μA箝位因子（VC/VBR）≤1.5≥7~8密封性质密封不透气透气价格较贵便宜静电保护器件ESD保护管静电保护器件ESD保护管产品列表（一）产品列表（二）静电保护器件ESD保护管LRCESD保护管的应用1、高速数据线保护2、USB端口保护3、便携式设备保护(如手机,PDA等)4、局域网和宽带网设备保护5、交换系统保护以及以太网交换机保护静电保护器件ESD保护管ESD保护管的应用举例（一）——键盘驱动器ESD保护方案静电保护器件E

7、SD保护管ESD保护管的应用举例（二）——数据接口的ESD保护方案静电保护器件ESD保护管ESD保护管的应用举例（三）——电源接口的ESD保护方案静电保护器件ESD保护管MOSFETMOSFET(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)，即“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET内部结构及电路符号按导电沟道可分为P沟道和N沟道按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型按工作电压可分为低耐压、中耐压和高耐压型按工作电流可分为小信号MOSFET和功率MOSFETMOSFET分类“MOSFET”是英文MetalOxi

8、deSemicoduct