资源描述：
《uhf频段高功率sicsit》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第31卷第1期固体电子学研究与进展Vol.31,No.12011年2月RESEARCH&PROGRESSOFSSEFeb.,2011宽禁带半导体UHF频段高功率SiCSITX陈刚王雯柏松李哲洋吴鹏李宇柱倪炜江(单片集成电路与模块国家重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016)2010-11-20收稿,2010-12-08收改稿摘要:采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiCSIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVDSiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿
2、电压,器件功率输出能力由此得到提升。最终28cm栅宽SiCSIT器件,在UHF波段的500MHz、90V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550W,此时功率增益为11.3dB。关键词:宽禁带半导体;碳化硅;静电感应晶体管;离子注入中图分类号:TN304.2+4;TN325+.3文献标识码:A文章编号:1000-3819(2011)01-0020-04HighOutputPowerSiCSITforUHFBandMicrowaveApplicationCHENGangWANGWenBAISongLIZheyangWUPengLIYuzhuNIWeijiang(NationalKeyLabor
3、atoryofMonolithicIntegratedCircuitsandModules,NanjingElectronicDevicesInstitute,Nanjing,210016,CHN)Abstract:SiCSITdeviceswith550WoutputpowerhavebeenfabricatedonSiCepitaxialwaferforUHFbandapplications.Thedevelopeddevicesadoptedap-typeAlionimplantedgatewitharecessedstructureandtheirpowerperformancew
4、asimprovedbydecreasedleakagecurrentandenhancedbreak-downvoltage.Theself-aligned,densegaterecessetching,hightemperatureannealsandPECVDpassivationprocesstechnologieswereadopted.At500MHzand90Vdraintosourcevoltage,a28cmgateperipherySiCSITexhibitedoutputpowerof550Wwithgainof11.3dBunderpulsedRFoperation
5、.Keywords:wideband-gapsemiconductor;SiC;SIT;ionimplantEEACC:0170E;2560;2550A段SiCSIT系列产品,其中,用于VHF频段的1400引言W输出功率SiCSIT产品型号为0150SC-1250M,主要性能指标为:在150～160MHzVHF频段,典SiCSIT具有耐高温、工作频率高、输出功率型输出功率1400W,功率增益9dB,漏效率60%大、集成度高、尺寸小、成本低等优点,在微波大功率@155MHz;用于UHF频段的产品型号为0405SC-领域具有很好的应用潜力,在国内外得到越来越广1000M,主要性能指标为:在40
6、6～450MHzUHF泛的关注。频段,典型输出功率1100W,功率增益8dB,漏效率目前SiCSIT研究已经取得了很大进展,美国50%@450MHz,采用了7个管芯28个子胞,功率Microsemi公司从2008年开始推出VHF和UHF频密度16.5W/cm。目前最新发布的典型产品的主要X联系作者:E-mail:steelchg@163.com1期陈刚等:UHF频段高功率SiCSIT21性能包括脉冲功率2200W、工作电压125V、效率SiCSIT器件工艺中首先是器件隔离工艺,器[1]50%以上。件隔离采用台面结构结合自对准方式的硼离子注入11文中报道了采用n型导通型SiC衬底上自主研实现
7、,隔离方块电阻大于108/□;其次采用了高能发的SiC同质外延材料,成功制作出了国内首个SiCAl离子注入栅工艺和1500°C高温离子注入退火工SIT器件。该器件工作于UHF波段,通过结合凹槽艺,制备的SiCSIT器件的SiC表面状况良好,提高栅结构和高能离子注入形成pn结栅两者的优点,有了SIT器件微波性能和可靠性。SIT器件沟道的控效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,提高了器件制是通过pn结栅的侧向控制实现的,栅的p型
