单端反激DCDC电路仿真

《单端反激DCDC电路仿真》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、题目：单端反激DC/DC电路仿真输入直流电压源，电压28V，输出电压5V，电压纹波小于1%，输出额定功率30W，最小负载电流1A，开关频率50kHz，整流二极管通态压降0.8V。计算必须的电感（变压器电感），电容，变压器的变比，功率管的工作占空比等参数，利用simpowersystems建立单端反激电路的仿真模型。进行DC/DC变换器输出功率20W的仿真，仿真时间0.2s。观察并记录MOSFET的工作波形（电压，电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压，电流波形）和输出电压波形。1、参数计算选择开关管的耐压不高于56V选择死区时间为0.2TS，则，取效率

2、为66.67%纹波电压1%最小负载电流1A，则最大电阻有5欧参数DCM模式CCM模式VS56V56V变压器匝比占空比原边电感输出电容量1、仿真图一、负载的仿真。DC/DC变换器输出功率20w，仿真时间0.2s。观察并记录MOSFET的工作波形（电压，电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压，电流波形），输出波形。输出电压5V，输出额定功率20w，可以算出输出电阻为1.25欧姆。参数设置如下。R=（5V）2/20W=1.25ΩDCM模式1)MOSFET管通过的电流、电压波形分析：在MOSFET管关断时，MOSFET两端电压为直流侧电压加上输出侧反应到输入侧

3、的电压之和，当MOSFET管导通时，管子端电压为0V。在MOSFET管关断时，变压器原边电流为0，副边等效电感对电路放电，电流线性降低，在MOSFET管导通时，变压器原边电源对电感充电，原边电流线性增加。1)二极管电流电压波形2)输出电压波形根据仿真，当D=40%时,输出V=2.518V不能满足V=5。调整占空比是D=53%，则输出电压的平均值为4.787V，，电压波动范围是4.8V-4.775V，满足1%电压纹波的条件。（2）CCM模式根据波形调试得D=43%,L(pu)=0.71)MOSFET管通过的电流、电压波形1)二极管电流电压波形2)输出电压波形

4、输出电压V=4.981v电压波动范围是4.955V-5V，满足1%电压纹波的条件。二、总结：在单端反激式变换器中，整流二极管D的接法使得开关管S闭合时，二极管截至，这是电源输入的能量以磁能的形式储存于变压器中；在开关管截止期间，二极管导通，变压器中储存的能量传输给负载。