毕业论文--IGBT特性及其应用技术综述

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1、哈尔滨理工大学学士学位论文IGBT特性及其应用技术综述摘要IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件。它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力。既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件，并且得到越来越广泛的应用。本文主要介绍了IGBT的结构特性和工作原理，同时简要概括了I

2、GBT缓冲吸收电路的工作原理及参数计算等，通过对IGBT的串并联技术的详细的分析，了解了IGBT在高压大功率领域的应用中所遇到的关键技术问题，及怎样更好的解决这些问题。关键词　IGBT；高压；大功率；串并联-II-哈尔滨理工大学学士学位论文IntroductionofIGBTCharacteristicsandTheirApplicationTechnologyAbstractIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),Alsoknownasinsulationgatebipolartransistors,isacompositeofpower

3、MOSFETandpowertransistoradvantageandproduceanewcompositedevices.Italsohasthehighspeedswitchingvoltageanddrivecharacteristicbipolartransistorsandthelowsaturationvoltagecharacteristicsandeasytoreachlargecurrentcapacity.TheIGBThasbothhighinputimpedance,speed,thermalstabilityandtheadvantagesof

4、drivingcircuitissimple,besides,thestatehaslowvoltage,highvoltageandcurrentundergreatadvantages.ThismakesIGBTbecomeistheattentionofthepowerelectronicsdevicedrivers,andgetmoreandmorewidelyinpowerelectronicfieldinrecentyears.ThispapermainlyintroducesthestructurecharacteristicandworkingIGBTpri

5、nciple,atthesametime,thispaperreviewstheIGBTbufferabsorptioncircuitprincipleofworkandtheparametercalculation,throughtothetechnologyoftheseriesIGBTdetailedanalysis,understandtheIGBTintheapplicationofhighvoltagepowerwiththekeytechnologicalproblems,andhowtobettersolvetheproblems.Keywords　IGBT

6、;highvoltage;highvoltagepower;seriesparallel不要删除行尾的分节符，此行不会被打印-II-哈尔滨理工大学学士学位论文目录摘要IAbstractII第1章IGBT的发展、结构及特性11.1IGBT的产生和发展11.1.1IGBT的产生11.1.2IGBT的发展21.2IGBT的基本结构及其工作原理31.2.1IGBT的基本结构31.2.2IGBT的工作原理41.2.3IGBT的主要工作特性及主要参数51.2.4静态特性51.2.5动态特性71.2.6主要参数10第2章缓冲吸收电路122.1缓冲吸收电路概述及种类122.1.1概述122

7、.1.2缓冲电路的种类122.2IGBT缓冲电路的选取及参数计算132.2.1缓冲电路的选取及参数计算132.3缓冲电路的工作特性分析与其应用中的问题及改进措施162.3.1尖峰电压的产生162.3.2缓冲电路的工作过程分析172.3.3缓冲电路在应用中的问题及改进措施18第3章IGBT的串并联技术193.1串联均压的研究193.1.1IGBT串联运行存在问题193.1.2影响串联运行的因素203.1.3IGBT串联的静态均压措施223.1.4IGBT串联的动态均压243.2IGBT并联技术分析263.2.1IGB