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1、大连东软信息学院本科毕业设计（论文）论文题目：高压垂直双扩散MOS器件的设计与实现系所：电子工程系专业：电子信息工程（微电子制造方向）学生姓名：学生学号：指导教师：导师职称：副教授完成日期：2014年4月28日大连东软信息学院DalianNeusoftUniversityofInformation大连东软信息学院毕业设计（论文）摘要高压垂直双扩散MOS器件的设计与实现摘要这几年来，随着半导体技术日趋成熟，电力电子技术在工业和社会中变得越来越重要。本文侧重于现代半导体开关器件，即功率半导体器件VDMOSFET，一种耐高压的垂直
2、双扩散晶体管。现在的高频新型电力电子器件大多是基于场控原理而制成的。现今国内VDMOS产品大部分依赖国外进口。国内需求量每年增长达25％。2010年，VDMOS需求量达到了近15亿只，VDMOS器件和各类产品市场份额达到8000亿元。然而在现今的研究和生产中，功率器件始终占据市场的主流地位，相信在很长的一段时间内，功率器件因其耐高压，大电流的特性将成为电力电子行业不可或缺的电子器件[1]。本文介绍了VDMOS器件结构、工作原理、单胞模型及特征导通电阻模型等基本理论。分析了方形单胞VDMOS器件的电学特性，研究了VDMOS器件
3、实际工艺流程，分析了基于ATHENA工艺模拟软件和ATLAS器件模拟软件的器件模拟方法。详细讨论了通过优化器件导通电阻模型优化器件参数的VDMOS器件设计方法。本论文的主要工作是通过特征导通电阻、外延层电阻率、器件沟道长度、源漏结深等器件基本参数的理论计算，得到符合设计指标的基本参数。然后使用SILVACO模拟软件模拟VDMOS器件，包括工艺参数和器件参数模拟优化，从而得到最优化的器件参数。最后利用所得到的优化参数绘制了器件版图，并进行了版图验证工作。最终设计出了500V/10A高压垂直双扩散MOS器件，完成功率器件整个的从
4、设计研发到工艺设计的整个流程。摘要、目录共同编页码，采用大写罗马数字，宋体小五号，居中。关键词：VDMOS器件，SILVACO，工艺仿真，模型V大连东软信息学院毕业设计（论文）AbstractDesignandImplementofHighVoltageVerticalDoubleDiffusedMOSDevicesAbstractInrecentyears,assemiconductortechnologymatures,powerelectronicstechnologyisbecomingincreasinglyimp
5、ortantinindustryandsociety.Thisarticlefocusesonthemodernsemiconductorswitchingdevices,powersemiconductordevicesnamedVDMOSFET,verticaldoublediffusedtransistorasahighvoltageresistance.Nowthenewhigh-frequencypowerelectronicdevicesaremostlybasedontheprincipleoffieldcon
6、trolandmade.Thepapermainlyfocusesonthedesignofdevelopmentandmanufactureofpowerpressuredevices,includingprocessmodelingandsimulation,andlayoutdesignofthedevice,thecurrentVDMOSmainlyrelyonimports.Domesticdemandgrowthof25%perin.2010,VDMOSdemandtoreachnearly1.5billion,
7、VDMOSdevicesandallkindsofproductsonthemarketshareof800billionYuan.However,intoday'sresearchandproduction,powerdevicesandalwaysoccupythemainstreammarket,Ibelieveinaverylongperiodoftime,thepowercharacteristicsofthedevicebecauseofitsresistancetohighvoltage,highcurrent
8、powerelectronicsindustrywillbecomeanintegralpartofelectronicdevices.ThisarticledescribestheVDMOSdevicestructure,thebasicprincipleofthetheory,asin
