《极管的应用》课件

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1、半导体三极管及其应用第2章2.1晶体管的结构、特性和参数2.1.1晶体管的结构与电流放大作用2.1.2晶体管的伏安特性曲线2.1.3晶体管的主要参数2.1.3晶体管的使用常识教学目标了解晶体管的结构理解晶体管特性及主要参数掌握晶体管的管脚识别方法EBCEBCEBCBEC晶体管外形(SemiconductorTransistor)2.1.1晶体管结构与电流放大一、结构、类型NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功

2、率分：小功率管<500mW中功率管0.51W大功率管>1WECBECB二、电流放大原理1.三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极IE=IC+IB3.电流放大作用例1：在某放大电路中，测量三极管各管脚电流如图所示，判别各管脚名称，NPN型还是PNP型，求的大小？解：放大状态IE=IB+IC所以：①脚是基极②脚是集电极③脚是发射极且为PNP管。=（6.1-0.1）/0.1=60例2：用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电

3、位是U1=3V，U2=12V，U3=3.7V试据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。根据发射结在放大时是正向压降，U1、U3两极电压差为0.7V，可判断此为硅管;12V电压的管脚为集电极;集电极电位VC是最大值，故为NPN型;由NPN管放大时要求VC〉VB〉VE知，第1脚是发射极，第3脚是基极2.1.2晶体管的伏安特性曲线一、输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似RCVCCiBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++iBRB+uBEVBB+O特性基本重合特性右移导通电压UBE(on)硅管：(0.60.8)V锗管：(0.20.3)V取0.7V取0.2VVB

4、B+RB二、输出特性IB=020A40A60A80A100AIC(mA)1234UCE(V)36912此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏

5、，集电结反偏。即(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：(3)截止区：发射结反偏或零偏，临界饱和时：uCE=uBE饱和时：uCE

6、放大区。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB=2V时：USB=5V时:例3：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ位于饱和区，此时IC和IB已不是倍的关系。三、温度对特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1C，UBE(22.5)mV。2.温度升高，输出特性曲线向上移。OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0温度每升高1C，(0.51)%。输出特性曲线间距增大。O2.1.3晶体管的主要参数

7、一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321—直流电流放大系数—交流电流放大系数一般为几十几百2.共基极电流放大系数1一般在0.98以上。Q二、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。三、极限参数1.ICM—集电极最大允许电流，超过时值明显降低。U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。2.PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iCuCE。3