《极管和晶体管备》PPT课件

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1、电工学电子技术电子学发展史1750年,富兰克林指出:雷电与摩擦生电是一回事1785年,库仑总结出电荷的力学定理1800年,伏打创立了电位差理论1820年,奥斯特发现导线通电磁针偏转1831年,法拉第完成磁生电实验1865年,麦克斯韦发表电磁理论公式1888年,赫兹证明了电磁波的存在1896年,马可尼发明电报,获1908年诺贝尔奖1897年,汤姆荪发现电子,获1906年诺贝尔奖1947年,萧克利、巴丁、布拉顿发明晶体管,获56年诺贝尔奖1958年,基尔比发明集成电路,获2000年诺贝尔奖从20世纪初开始,人们相继发现了真空和半导体电子器件,以检波、放大及开关等功能为核心的电子技术得到迅速发展。

2、从1948美国贝尔实验室发明半导体晶体管以来,半导体电子器件逐步取代电子管而成为应用电子技术的主角,经历了分立器件、集成电路、大规模和超大规模的集成电路。其应用领域遍及广播、通讯、测量、控制……;今天,计算机已经以高技术的载体进入到各个领域,为人类文明的发展树立了一座宏伟的里程碑。电子技术由模拟电子技术和数字电子技术两部分构成。两者的区别:处理的信号电子技术基础知识包括半导体二极管、半导体三极管、场效应管、部分典型集成电路等元器件。电炉箱恒温自动控制系统光源产品传送带光电元件脉冲产生整形十二进制计数器件数十进制计数器十进制计数器十进制计数器箱数译码器译码器译码器563LED数码管个位十位百位

3、产品自动装箱计数生产线第14章二极管和晶体管14.3二极管14.4稳压二极管14.5晶体管14.2PN结及其单向导电性14.1半导体的导电特性14.6光电器件学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一

4、般都是导体。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。14.1半导体的导电特性半导体的导电特性:(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强为什么具有这些导电特性?这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的14

5、.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子,称为价电子。SiSiSiSi价电子SiSiSiSi价电子价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。空穴温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时,在半导体中将

6、出现两部分电流(1)自由电子作定向运动电子电流(2)价电子递补空穴空穴电流注意:(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;(2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。14.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为

7、正离子在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。14.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。小结:

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