《极管三极管》PPT课件

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1、电子技术基础二极管＆三极管1.二极管（Diode）Diode结构，外观，符号－PN结合Diode是锗或硅的单品里使结晶成晶体，P型半导体部分和N型半导体部分连接做出的。这内部的原理结构如上图是二极管，电极是P向端子，（阳极）N向端子（阴极）构成。-1-PNAKAKPN圈磊蜡傈磊hall自由电子AK阴极波段阳极阴极一半导体二极管（Diode）特性：具有单向导电性的半导体器件。半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间且具有导电能力受外界条件（光照、温升）及杂质影响极大的特点的一类物质叫半导体（Semiconductor)。分类用途：检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二极管、稳压二极管、整流二极管

2、、光电二极管、发光二极管。材料：锗二极管、硅二极管。结构：点触二极管、面触二极管。工作原理：隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。常用二极管特性表名称原理、特点用途整流二极管多用硅半导体制成、利用PN结单向导电性能把交流电变为脉动电流，即整流检波二极管常用点接触式、高频特性好把调制在高频电磁波上的低频信号检出来稳压二极管得用二极管反向击穿时，二端电压不变原理稳压限幅，过载保护，开关条件，广泛用于稳压电源装置中开关二极管利用正偏压时二极管电阻很小，反偏压时电阻很大的单向导电性在电路中对电流进行控制，起到“接通”或“关断”的开关作用变容二极管利用PN结电容随加到期管子上的反向电压大小而变化的特性在

3、调谐等电路中取代可变电容器高压硅堆把多只硅整流器件的芯片串联关起来形成一个整体的高压整流器件用于高频、高压整流电路阻尼二极管反向恢复时间小，能随较高的反向击穿电压和较大峰值电流，既能在高频下工作又具有较低的正向电压降多用于电视机行扫描电路中的阻尼、整流电路发光二极管正向电压为1.5-3V时，只要正向电流通过可发光用于指示，可驵成数字或符号的LED娄码管二极管命名规定第一部分用数字2表示二极管；第二部分表示材料和极性用字母表示，如下：第三部分类型用字母表示，如下：根据国家标准GB-249-74，半导体二极管型号由五部分组成：字母ABCD含义N型，锗材料P型，锗材料N型，硅材料P型，硅材料字母含义

4、字母含义字母含义P普通管Z整流管U光电器件V微波管L整流堆K开关管W稳压管S隧道管B雪崩管C参量管N阻尼管第四部分用序号用数字表示；第五部分规格用字母表示。例：2CN1表示N型硅阻尼二极管二极管的主要技术参数二极管的主要电气参数有最大整流电流、反向击穿电压、反向饱和电流和最高工作频率等。稳压二极管还有稳压电压稳压电流和温度系数。二极管好坏的判断方法可以通过测量正反向电阻的大小，检查二极管性能的好坏。锗管用R×100档测量，硅管用R×1K档测量。正反向电阻相差越大越好。一般二极管的正向电阻大约在100-600欧姆之间，反向电阻大约在几百千欧以上。如果测得正向电阻无穷大，表示二极管断开；如果测得正

5、反向电阻为零，表示二极管短路；如果正反向电阻差不多，这样二极管也是坏的。检查发光二极管的简单方法使用数字万用表，将档位选在测量二极管的档位上，红笔接二极管的正极，黑笔接二极管的负极。如果发光，则说明发光二极管是好的，如果不发光，则说明发光二极管不良。Diode的不良判定（使用法参照）●测定顺序①万用表电阻Range调为*1KΩ。②测定笔（红色与黑色）接触调零。③测试的Diode的正级（A）黑对黑笔，负极（K）对红笔（顺方向TSET）④指针不到0处停在中间就好。（按Diode特性有所不同）⑤相反（A）对红笔，负极对黑笔（逆方向测试）⑥指针不动就好。－zenerDiode是逆方向TSET时电压低的

6、时候指针上去一点。－发光二极管（LED:LightEmittingDiode）的TEST时放*1Ωrange里后作顺方向实验时高就良好。顺方向TEST逆方向TEST正极负极Ω∞Ω三极管(Transistor)三极管是由两个制作在一起的PN结加上相应的引出电极引线及封装组成。三极管具有放大作用，可组成放大、振荡及各种功能的电子电路。常用三极管可分为硅三极管和锗三极管；按结构分为点接触型和面接触型；按生产工艺分为合金型和扩散型、台面型和平面型等；按工作频率分为低频、高频和开关三极管；依工作功率又分为小功率、中功率、大功率三极管；从外形结构上分为小功率金属封装、大功率金属封装、塑料封装等多种；按导电

7、性又分为PNP型和NPN型。-1-3）Transistor种类CEBECBECBECBEBCEBCEBCECBEBCEBCCEBECBECBE:发射极（Emitter）B:基极（Base）C:集电极（Collector）ECBECB三极管命名规定三极管型号由五部分组成第一部分用数字3表示三极管；第二部分表示材料和极性，用字母表示，如下：第三部分类型用字母表示，如下：字母ABCDE含义PNP，锗NP