《材料的热电性质》PPT课件

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1、2.2材料的热电性能材料的两端存在电位差——产生电流，温度差——产生热流。从电子论的观点看，在金属和半导体中，无论是电流还是热流，都与电子有关。故温度差，电位差，电流，热流之间存在交叉联系，这就构成了热电效应。一帕耳帖效应二汤姆逊效应三塞贝克效应三个基本热电效应一帕耳帖效应将铜、铋两根金属丝的端点互相连接（A,B处）成为一闭合回路。将两根铋丝分别接到直流电源的正、负极上，通电后发现A接头变冷，吸热效应；B接头变热，发生了放热效应，这个现象称为帕尔帖效应1定义：2分析原因：不同的金属，电子状态不同，铜铋接触时，电子从1→2，

2、1中电子减少，2中电子增多。1电位为正，2电位为负。这样不同金属的接触面处产生的电势称接触电势差（V12）++++++++++++1↓e2V12A处：通电后，外加电场使电子移动形成电子电流,接触电势差V12将阻碍电子的运动，电子动能减小，减速的电子与金属离子碰撞，从金属原子那里获得能量，金属离子能量减小，从而使该处温度降低，变冷，须从外界吸热。eeV12V12B处：通电后，接触电势差V12将加速电子的运动，电子动能增加，加速的电子与金属离子碰撞，把获得的动能交给金属原子，金属离子能量增加，从而B处温度增加，变热，须放热。e

3、eV12V12帕尔帖效应的应用——制冷热电效应的大小主要取决于两种材料的热电势。纯金属材料的导电性好，导热性也好。用两种金属材料组成回路，其热电势小，热电效应很弱，制冷效果不明显(制冷效率不到1%)。半导体材料具有较高的热电势，可以成功地用来做成小型热电制冷器。图示出N型半导体和P型半导体构成的热电偶制冷元件。用铜板和铜导线将N型半导体和P型半导体连接成一个回路，铜板和铜导线只起导电的作用。回路中接通电流时，一个接点变热，一个接点变冷。如果改变电流方向，则两个接点处的冷热作用互易，即：原来的热接点变成冷接点，原来的冷接点变

4、成热接点。热电制冷元件热电制冷器它不需要一定的工质循环来实现能量转换，没有任何运动部件。热电制冷的效率低，半导体材料的价格又很高，而且，由于必须使用直流电源，变压和整流装置往往不可避免，从而增加了电堆以外的附加体积。所以热电制冷不宜大规模和大冷量便用。但由于它的灵活性强，简单方便，使用可靠，冷热切换容易，非常适宜于微型制冷领域或有特殊要求的用冷场所。例如，为空间飞行器上的科学仪器、电子仪器、医疗器械中需要冷却的部位提供冷源等。二汤姆逊效应当金属导线两端，温度不同，通过电流，发现，若电流方向与热端方向一致时产生放热，反之吸热

5、。这就是汤姆逊效应。1定义：IT1T2++++++++++++T1>T2温差电势原理图金属两端存在温差：T1高温T2低温高温电子动能大，低温电子动能小，电子将从T1T2，并在T2处堆积从而在金属到体内出现电势差，称为温差电势差V(T1,T2）扩散2分析原因：V(T1,T2)T1T2++++++++++++V(T1,T2)T1T2I++++++++++++外加电流与V(T1,T2)同向电子从T2T1被V(T1,T2)加速在与金属离子碰撞中传给金属离子能量，使整个金属能量升高，放出热量。V(T1,T2)T1T2I+++++++

6、+++++外加电流与V(T1,T2)反向电子从T1T2被V(T1,T2)减速在与金属离子碰撞中获得来自金属离子的能量，使整个金属能量降低，吸收热量。三塞贝克效应把两种不同的金属导体1，2组成闭合回路，两接点分别置于T1和T2（设T1＞T2）两不同温度时，则在回路中就会产生热电势，形成回路电流。这种现象称塞贝克效应。12T1T21定义：帕尔帖效应——两金属接触产生接触电势差V12(T1)，V12(T2)汤姆逊效应——存在温差的金属两端产生温差电势差V1(T1,T2)，V1(T1,T2)12T1T2-V1(T1,T2)V2(T

7、1,T2)V12(T1)V12(T2)2分析原因：12T1T2-V1(T1,T2)V2(T1,T2)V12(T1)V12(T2)热电势：热电势与温差有关，一般表达式不同材料具有不同的αβ同种材料温差变化，热电势变化塞贝克效应的应用——用于温度测量的热电偶常用热电偶材料材料测温范围特点应用铂铹10纯铂0~1000℃准确性高，成本高精密测温、标准铱铹10纯铱0~2100℃科学研究铱铹40铂铹400~1900℃氧化、中性气体镍铁镍铜50~500℃<50℃无电势火灾报警镍铬康铜-200~900℃各种场合镍铬镍硅-50~1300℃电

8、势大，线性好各种场合、常用铜康铜-200~400℃各种场合镍铬金铁-270~10℃低温铜金铁-270~-250℃灵敏度高低温